[发明专利]光探测基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种光探测基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

感光元件，位于所述衬底基板的一侧，所述感光元件包括依次叠层设置的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极朝向所述衬底基板的一侧；

平坦层，位于所述感光元件背离所述衬底基板的一侧，所述平坦层开设有第一过孔，所述光电转换层的侧壁的至少一部分通过所述第一过孔暴露；

遮光层，位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影以及所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影均位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影范围内，所述遮光层被配置为遮挡预设光线，其中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔的底壁在所述衬底基板上的正投影范围内。

2.根据权利要求1所述的光探测基板，其特征在于，所述预设光线为波长小于800nm的光线。

3.根据权利要求1所述的光探测基板，其特征在于，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影边界与所述第一过孔的底壁在所述衬底基板上的正投影边界之间的距离大于或等于2μm。

4.根据权利要求1所述的光探测基板，其特征在于，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影边界与所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影边界之间的距离大于或等于2μm。

5.根据权利要求1所述的光探测基板，其特征在于，所述遮光层的厚度范围为2μm至5μm。

6.根据权利要求1所述的光探测基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括黑色树脂材料。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光探测基板，其特征在于，所述衬底基板包括基底以及位于所述基底的朝向所述感光元件一侧的读取薄膜晶体管，所述第一电极与所述读取薄膜晶体管连接；

所述光探测基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述感光元件与所述平坦层之间；

所述光探测基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述平坦层与所述遮光层之间，所述钝化层开设有第二过孔，所述第二过孔穿过所述钝化层和所述缓冲层，所述第二电极通过所述第二过孔暴露；

所述光探测基板还包括第一金属层，所述第一金属层位于所述钝化层和所述遮光层之间，所述第一金属层包括金属连接线和偏置电压线，所述金属连接线通过所述第二过孔与所述第二电极连接，所述金属连接线与所述偏置电压线连接，所述偏置电压线用于向所述第二电极提供偏置电压。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的光探测基板，其特征在于，所述光探测基板还包括多条沿第一方向延伸的栅线以及多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述栅线沿第二方向并列排布，多条所述数据线沿第一方向并列排布，多条所述栅线和多条所述数据线相互交叉形成多个子区域，每个所述子区域内设置有至少一个所述感光元件，所述子区域的边长范围为3mm至5mm。

9.根据权利要求8所述的光探测基板，其特征在于，所述子区域内设置有两个所述感光元件，两个所述感光元件呈对角设置，所述感光元件靠近对应的所述栅线和所述数据线的交叉位置。

10.根据权利要求8所述的光探测基板，其特征在于，所述光探测基板还包括LED灯，所述LED灯被配置为产生预设近红外光，所述LED灯设置在所述光探测基板朝向感光元件的一侧，每个所述子区域内设置有至少一个所述LED灯。

11.一种光探测基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

感光元件，位于所述衬底基板的一侧，所述感光元件包括依次叠层设置的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极朝向所述衬底基板的一侧；

平坦层，位于所述感光元件背离所述衬底基板的一侧，所述平坦层开设有第一过孔，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠，所述平坦层的材质为黑色树脂，所述平坦层被配置为遮挡预设光线。