[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立的有源区，若干所述有源区沿第一方向排列，且若干所述有源区平行于第二方向，所述第一方向与第二方向相互垂直；

位于所述衬底内的若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿部分所述有源区或全部所述有源区；

位于第一凹槽内的字线栅极结构，所述字线栅极结构内包括第二侧区，所述第二侧区与所述有源区邻接；

位于第一凹槽内的第一隔离结构，所述第一隔离结构与字线栅极结构邻接，所述第一隔离结构位于字线栅极结构与有源区之间，所述第一隔离结构还位于部分有源区内，且所述第一隔离结构自衬底第二面向第一面延伸；

位于各所述有源区的第一面上的若干位线结构，若干所述位线结构沿第一方向排列，且若干所述位线结构平行于第二方向；

位于各所述有源区的第二面上的若干电容结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于有源区第一面内的第一掺杂区；各位线结构分别与一个第一掺杂区电连接。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于位线结构和第一掺杂区之间的位线插塞，所述位线插塞电连接所述位线结构和第一掺杂区。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构在朝向衬底第一面的方向上的底部平面高于所述第一掺杂区朝向衬底第二面的底部平面。

5.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，相邻有源区之间具有第二隔离结构；所述衬底第二面暴露出所述第二隔离结构。

6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底第二面有源区上和第二隔离结构上的第一介质层，所述第一介质层内具有若干第三凹槽，所述第三凹槽暴露出有源区的第二面表面；所述电容结构位于所述第三凹槽内。

7.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于有源区第二面内的第二掺杂区；各电容结构分别与一个有源区内的第二掺杂区电连接。

9.如权利要求8所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于电容结构与所述第二掺杂区之间的电容插塞，所述电容插塞电连接所述电容结构与所述第二掺杂区。

10.如权利要求8所述半导体结构，其特征在于，所述电容结构在有源区的第二面上的投影至少与部分所述第二掺杂区重合。

11.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于字线栅极结构上和有源区的第一面上的第二介质层；所述第二介质层内具有第四凹槽，所述第四凹槽暴露出部分有源区的第一面表面；所述位线结构位于所述第四凹槽内。

12.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述字线栅极结构包括位于第一凹槽侧壁表面和底部表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅极层。

13.如权利要求12所述半导体结构，其特征在于，所述字线栅极结构朝向衬底第一面的方向上的顶部表面低于所述衬底第一面表面。

14.如权利要求13所述半导体结构，其特征在于，所述第一隔离结构在朝向衬底第一面的方向上的底部平面高于所述栅极层高度的二分之一。

15.如权利要求14所述半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括多晶硅或金属，所述金属包括钨。