[发明专利]边缘环、载置台以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种边缘环,其能够降低导热气体的泄露。该边缘环配置于基板的周缘,其以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的的上限值以下。

技术领域

本发明涉及边缘环、载置台以及基板处理装置。

背景技术

在基板处理装置的处理室内,在载置于静电卡盘之上的基板的周缘，以包围基板的方式设有边缘环。边缘环在处理室内进行等离子体处理时使等离子体朝向晶圆的表面收敛,从而使晶圆处理的效率提高。

边缘环一般由Si(硅)形成,将硅的下表面的倾斜管理为自不倾斜的平坦的状态增减数μm。近年来,以边缘环的寿命的延长为目的,以SiC(碳化硅)为代表的、刚性更强的材料作为边缘环的材料被采用。

在配置于静电卡盘的外周的载置面的边缘环的下表面与静电卡盘的载置面之间,供给有He(氦)等的导热气体,由此,对边缘环的温度进行控制。例如,在专利文献1中,为了抑制导热气体自边缘环与静电卡盘的载置面之间的间隙泄漏的量(泄露量)的增大,提出了在晶圆搬入搬出时以及无晶圆干式清洁(WLDC:Wafer-Less Dry Cleaning)时,对边缘环进行静电吸附。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本国特开2016-122740号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本发明提供一种能够降低导热气体的泄露的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式,提供一种边缘环,其配置于基板的周缘,该边缘环以如下方式形成:以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的上限值以下。

发明的效果

根据一个侧面,能够降低导热气体的泄露。

附图说明

图1是示出一个实施方式的基板处理装置的一个例子的剖面示意图。

图2是示出一个实施方式的边缘环周边的构成的一个例子的图。

图3是示出一个实施方式的边缘环下表面的周向的起伏的一个例子的示意图。

图4是示出一个实施方式的起伏与导热气体的泄露量的相关性的一个例子的图。

图5是示出第二实施方式的边缘环载置面的周向的起伏的一个例子的示意图。

图6是示出第三实施方式的边缘环的下表面与边缘环载置面之间的的间隙的一个例子的示意图。

具体实施方式

以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中,对于相同构成部分付与相同附图标记,有时省略重复的说明。

[基板处理装置的构成]

首先,参照图1对一个实施方式的基板处理装置1的进行说明。图1是示出一个实施方式的基板处理装置1的概略构成的剖视图。在本实施方式中,虽然以RIE(Reactive IonEtching)型的基板处理装置为例进行说明,但是基板处理装置1不限于此,也可以适用于利用表面波等离子体的等离子体蚀刻装置、以及等离子体CVD装置等。