[发明专利]边缘环、载置台以及基板处理装置在审
申请号: | 202110372663.6 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113496925A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 千叶谅;永山晃;佐佐木康晴;佐藤大树;富冈武敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 载置台 以及 处理 装置 | ||
1.一种边缘环,其配置于基板的周缘,该边缘环以如下方式形成:
以将上述边缘环的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环的下表面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的上限值以下。
2.根据权利要求1所述的边缘环,其中,
上述上限值为20μm。
3.根据权利要求1所述的边缘环,其中,
上述上限值为15μm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的边缘环,其中,
上述边缘环的下表面以上述边缘环的外周部比内周部低的方式倾斜形成。
5.一种载置台,其具有用于载置配置于基板的周缘的边缘环的边缘环载置面,该载置台以如下方式形成:
以将上述载置台的中心轴线上的一点设定为中心点的、上述边缘环载置面的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,自上述假想圆上的多个点至上述边缘环载置面的垂直方向的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的上限值以下。
6.根据权利要求5所述的载置台,其中,
上述载置台具有用于将上述边缘环静电吸附于边缘环载置面的静电卡盘。
7.一种基板处理装置,其具有:
边缘环,其配置于基板的周缘;以及
载置台,其具有边缘环载置面,
该基板处理装置以如下方式形成:在上述边缘环载置面和上述边缘环的下表面中,以将上述边缘环或上述载置台的中心轴线上的一点为中心点的、上述边缘环的内径以上外径以下的直径的假想圆或上述边缘环载置面的内径以上外径以下的直径的假想圆为基准,通过上述假想圆上的多个点的各点的上述边缘环载置面与上述边缘环的下表面之间的间隙的高度的最大值与最小值的差值的绝对值为预定的上限值以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造