[发明专利]非易失性存储器设备及其操作方法

说明书

提供了一种非易失性存储器设备和操作方法。非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个平面，每个平面包括多个存储器块；地址解码器，连接到存储器单元阵列；电压生成器，被配置为向地址解码器施加操作电压；页缓冲器电路，包括与每个平面相对应的页缓冲器；数据输入/输出电路，连接到被配置为输入和输出数据的页缓冲器电路；以及控制单元，被配置为控制地址解码器、电压生成器、页缓冲器电路和数据输入/输出电路的操作，其中，控制单元被配置为通过检查访问地址的存储器块是否是坏块来在多操作或单一操作中操作。

技术领域

本发明概念涉及半导体存储器，更具体地，涉及非易失性存储器设备及其操作方法。

背景技术

半导体存储器设备是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体来实现的存储设备。半导体存储器设备可以大致分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。

易失性存储器设备是当电源被切断时存储的数据消散的存储器设备。易失性存储器设备可以包括SRAM(静态RAM)、DRAM(动态RAM)、SDRAM(同步DRAM)等。非易失性存储器设备是即使在电源被切断时也保持存储的数据的存储器设备。非易失性存储器设备可以包括闪存设备、ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除和可编程ROM)、电阻存储器设备(例如，PRAM(相变RAM)、FRAM(铁电RAM)和RRAM(电阻RAM))等。

随着半导体技术的发展，一种基于闪存的存储器设备正在开发中。在单平面结构半导体存储器中，一次仅对一个块执行存储器操作。另一方面，在多平面结构半导体存储器中，由于可以同时对连续布置在相邻平面中的块(相邻块)执行存储器操作，因此性能得到改进。因此，可以使用多平面结构来改进半导体存储器设备的性能。

发明内容

本发明概念的方面提供一种非易失性存储器设备，其被配置为当包括坏块时执行适合于实际操作的平面的数量的操作。

本发明概念的方面还提供一种操作非易失性存储器设备的方法，该非易失性存储器设备当包括坏块时执行适合于实际操作平面的数量的操作。

本发明概念的一个方面提供了一种非易失性存储器设备，其包括包含多个平面的存储器单元阵列、每个平面包括多个存储器块、连接到存储器单元阵列的地址解码器、被配置为向地址解码器施加操作电压的电压生成器、包括对应于每个平面的页缓冲器的页缓冲器电路、连接到被配置为输入和输出数据的页缓冲器电路的数据输入/输出电路、以及被配置为控制地址解码器、电压生成器、页缓冲器电路和数据输入/输出电路的操作的控制单元，其中，控制单元被配置为通过检查访问地址的存储器块是否是坏块来在多操作或单一操作中操作。

本发明概念的另一方面提供了一种操作非易失性存储器设备的方法，该非易失性存储器设备包括多平面结构的存储器单元阵列，每个平面结构包括多个存储器块，该方法包括从存储控制器接收命令、访问地址和数据，检查与访问地址相对应的存储器块中是否包括坏块，当存储器块中不存在坏块时在对至少两个或更多个存储器块同时执行存储器操作的多操作中操作，以及当在存储器块中包括坏块时在对每个存储器块执行存储器操作的单一操作中操作。