[发明专利]改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法

说明书

本发明涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，所属半导体材料技术领域，如下操作步骤：步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片。步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗。步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗。步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。具有运行稳定性好和产品合格率高的特点。解决了背封层表面附着颗粒及LTO背封硅片在抛光时发生凹坑的问题。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法。

背景技术

化学机械抛光即Chemical Machine Polishing, CMP，是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合，在施加一定压力下，通过硅片和抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面。抛光前的的涂蜡贴片过程中，如果引入了一定粒径大小的颗粒，施加压力后硅片抛光面产生凸起，抛光过程中该凸起被修平，硅片剥离下来后，应力恢复，凸起部分就会出现凹坑，凹坑的产生直接影响硅片表面局部平整度参数波动。

背封硅片通常是用化学气相沉积的方法在硅片背面沉积一层LTO，LTO即低温二氧化硅，LTO背封层不可避免会有颗粒附着在上面，主要有两种模式，一种是LTO背封层封住的颗粒，另一种是背封层表面附着的颗粒。这导致LTO背封硅片在抛光时凹坑的发生率较高。目前对于LTO背封硅片通常在抛光贴片前使用氨水和双氧水药液清洗，不能有效解决此问题。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在运行稳定性差和产品合格率低的不足，提供了一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其具有运行稳定性好和产品合格率高的特点。解决了背封层表面附着颗粒及LTO背封硅片在抛光时发生凹坑的问题。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，包括如下操作步骤：

步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片。

步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗。利用PVA刷的机械作用去除LTO膜表面附着的颗粒。

步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗。降低LTO表面附着的小颗粒。

步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。

作为优选，目检采用荧光灯和聚光灯两种方式观察。

作为优选，每个药液清洗时间为250秒～350秒，同时每次清洗过程中增加超声清洗过程，提高去除颗粒的效果。也可以使用兆声清洗。

作为优选，超声清洗的声波频率在20kHz到40kHz之间。

作为优选，SC1配比为：NH4OH:H2O2:H2O=1:2:（5-20），SC1药液使用周期为2小时，温度65℃。

作为优选，用有蜡贴片的方式对背封硅片做粗、中、精抛光。

作为优选，有蜡贴片所用为液体蜡，液体蜡中的蜡含量在28％～38%，溶剂为异丙醇。

本发明能够达到如下效果：

本发明提供了一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，与现有技术相比较，具有运行稳定性好和产品合格率高的特点。解决了背封层表面附着颗粒及LTO背封硅片在抛光时发生凹坑的问题。

具体实施方式

下面通过实施例，对发明的技术方案作进一步具体的说明。