[发明专利]一种快速上下电电路及其控制方法

说明书

本申请公开了一种快速上下电电路及其控制方法，所述快速上下电电路包括：高速控制器，用于输出控制信号以控制上电电路和下电电路分时工作；DC电源，用于通过上电电路为负载供电；上电电路，用于对负载进行充电；下电电路，用于对负载进行放电；其中，上电电路、下电电路均包括一个高电压开启的第一开关器件和一个低电压开启的第二开关器件，第二开关器件与高速控制器连接，第一开关器件与负载连接，第一开关器件的通断由第二开关器件控制。本申请采用低电阻的第一开关器件，并使用低电压开启的第二开关器件来控制高电压开启的第一开关器件的通断，可让DC电源快速开关并且使上下电时间达到微秒级，让大功耗的芯片进行寿命测试成为了可能。

技术领域

本发明涉及电路设计技术领域，尤其涉及一种快速上下电电路及其控制方法。

背景技术

在产品的研发过程中，需要验证其在不同环境下的可靠性。然而普通的测试实验需要消耗大量的时间，因此为了加快实验过程，缩短产品的寿命实验时间，需要将其放置在特殊的环境里，即待测产品被置于严苛的温度、湿度及压力下测试，湿气会沿着胶体或者胶体与导线架之间的接口渗入封装体，从而损坏芯片，在这样的环境下可检测芯片封装的耐湿能力。这样的实验中，一般对芯片有功耗的要求，芯片功耗需要小于一限定值，减少湿气的挥发，才能使湿气进入芯片的封装体以达到测试的目的。然而有一些被测的芯片功耗太大，超过了限定值，湿气无法进入，以至于无法达到检测芯片封装的耐湿能力的目的。

为了达到测试的目的，可以采用快速的上电及下电的来回切换来进行高低功耗切换，从而限制芯片的功耗，上下电的速度需要在毫秒级才能达到实验效果。然而，现有技术中使用的电源无法实现上电及下电的高速循环，为了进行大功耗芯片的寿命测试，急需设计一种能实现上电及下电高速循环的电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种快速上下电电路及其控制方法，以解决上述技术背景中提出的问题。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

本申请第一个方面提供了一种快速上下电电路，包括：

高速控制器，用于输出控制信号以控制上电电路和下电电路分时工作；

DC电源，用于通过上电电路为负载供电；

上电电路，用于对负载进行充电，所述上电电路的控制端与所述高速控制器连接，所述上电电路的输入端与所述DC电源连接，所述上电电路的输出端与负载连接；

下电电路，用于对负载进行放电，所述下电电路的控制端与所述高速控制器连接，所述下电电路的输入端与所述负载连接，所述下电电路的输出端接地；

其中，所述上电电路、下电电路均包括一个高电压开启的第一开关器件和一个低电压开启的第二开关器件，所述第二开关器件与所述高速控制器连接，所述第一开关器件与所述负载连接，所述第一开关器件的通断由所述第二开关器件控制。

优选地，所述第一开关器件的内阻为毫欧级。

优选地，所述第一开关器件为N沟道MOSFET管，所述第二开关器件为N沟道MOSFET管。

优选地，所述高速控制器设有第一电平信号输出端和第二电平信号输出端，所述第一电平信号输出端与所述上电电路的第二开关器件相连接，向所述上电电路的第二开关器件发送第一电平信号，所述第二电平信号输出端与所述下电电路的第二开关器件相连接，向所述下电电路的第二开关器件发送第二电平信号；

所述第一电平信号为低电平，所述第二电平信号为高电平，所述上电电路的第二开关器件截止，所述上电电路的第一开关器件导通，所述下电电路的第二开关器件导通，所述下电电路的第一开关器件截止，所述DC电源为所述负载充电；