[发明专利]一种快速上下电电路及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202110359407.3 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN113098462A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 谭显锋;朱勇;方金虎 申请(专利权)人: 上海季丰电子股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 上海海钧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31330 代理人: 许兰
地址: 201100 上海市闵行*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 上下 电路 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种快速上下电电路,其特征在于,包括:

高速控制器,用于输出控制信号以控制上电电路和下电电路分时工作;

DC电源,用于通过上电电路为负载供电;

上电电路,用于对负载进行充电,所述上电电路的控制端与所述高速控制器连接,所述上电电路的输入端与所述DC电源连接,所述上电电路的输出端与负载连接;

下电电路,用于对负载进行放电,所述下电电路的控制端与所述高速控制器连接,所述下电电路的输入端与所述负载连接,所述下电电路的输出端接地;

其中,所述上电电路、下电电路均包括一个高电压开启的第一开关器件和一个低电压开启的第二开关器件,所述第二开关器件与所述高速控制器连接,所述第一开关器件与所述负载连接,所述第一开关器件的通断由所述第二开关器件控制。

2.根据权利要求1所述的一种快速上下电电路,其特征在于,所述第一开关器件的内阻为毫欧级。

3.根据权利要求1所述的一种快速上下电电路,其特征在于,所述第一开关器件为N沟道MOSFET管,所述第二开关器件为N沟道MOSFET管。

4.根据权利要求1所述的一种快速上下电电路,其特征在于,所述高速控制器设有第一电平信号输出端和第二电平信号输出端,所述第一电平信号输出端与所述上电电路的第二开关器件相连接,向所述上电电路的第二开关器件发送第一电平信号,所述第二电平信号输出端与所述下电电路的第二开关器件相连接,向所述下电电路的第二开关器件发送第二电平信号;

所述第一电平信号为低电平,所述第二电平信号为高电平,所述上电电路的第二开关器件截止,所述上电电路的第一开关器件导通,所述下电电路的第二开关器件导通,所述下电电路的第一开关器件截止,所述DC电源为所述负载充电;

所述第一电平信号为高电平,所述第二电平信号为低电平,所述上电电路的第二开关器件导通,所述上电电路的第一开关器件截止,所述下电电路的第二开关器件截止,所述下电电路的第一开关器件导通,所述负载放电。

5.根据权利要求1所述的一种快速上下电电路,其特征在于,所述上电电路包括第一MOSFET管和第二MOSFET管,所述第一MOSFET管的内阻为毫欧级;

所述第一MOSFET管的漏极与所述DC电源连接,所述第一MOSFET管的源极与所述负载连接,所述第一MOSFET管的栅极与所述第二MOSFET管的漏极连接,所述第一MOSFET管的栅极和所述第二MOSFET管的漏极之间通过第一电阻连接第一电源VCC;

所述第二MOSFET管的栅极通过第二电阻与所述高速控制器连接,所述第二MOSFET管的源极接地,所述第二电阻与高速控制器之间还通过第三电阻接地。

6.根据权利要求1所述的一种快速上下电电路,其特征在于,所述下电电路包括第三MOSFET管和第四MOSFET管,所述第三MOSFET管的内阻为毫欧级;

所述第三MOSFET管的漏极与所述负载连接,所述第三MOSFET管的源极接地,所述第三MOSFET管的栅极与所述第四MOSFET管的漏极连接,所述第三MOSFET管的栅极和所述第四MOSFET管的漏极之间通过第六电阻连接第一电源VCC;

所述第四MOSFET管的栅极通过第五电阻与所述高速控制器连接,所述第四MOSFET管的源极接地,所述第五电阻与高速控制器之间还通过第四电阻接第二电源VCC2。

7.一种如权利要求1所述的快速上下电电路的控制方法,其特征在于,包括:高速控制器循环输出控制信号以控制上电电路和下电电路分时工作;其中,

负载上电时,高速控制器先控制下电电路断开,再控制上电电路导通,实现负载上电;

负载下电时,高速控制器先控制上电电路断开,再控制下电电路导通,实现负载下电。

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