[发明专利]包括标准单元的集成电路

说明书

提供了一种包括多个标准单元的集成电路。该集成电路包括：第一标准单元组，包括至少两个第一标准单元；第二标准单元组，在第一方向上与第一标准单元组相邻，第二标准单元组包括至少一个第二标准单元；以及第一绝缘栅极，与第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管(pFET)和n型晶体管(nFET)，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线，以及其中第一标准单元和第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。

技术领域

本公开涉及包括标准单元的集成电路。

背景技术

随着电子工业变得更加高度发展，对半导体器件中包括的集成电路的特性的需求增长。例如，对半导体器件的高可靠性、高速度和/或多功能等的需求增长。为了满足这些需要的特性，集成电路中的结构正变得越来越复杂和高度集成。

集成电路可以基于标准单元被设计。具体地，可以通过根据定义集成电路的数据设置标准单元并对所设置的标准单元进行布线来产生集成电路的版图(layout)。这样的标准单元被预先设计并被存储在单元库中。

发明内容

本公开的方面提供了其中金属轨道设计针对每个标准单元而变化但是标准单元版图的一致性得到保持的集成电路。

本发明的一个方面提供了一种包括多个标准单元的集成电路，该集成电路包括：第一标准单元组，包括至少两个第一标准单元；第二标准单元组，在第一方向上与第一标准单元组相邻，第二标准单元组包括至少一个第二标准单元；以及第一绝缘栅极，与第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接，其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管(pFET)和n型晶体管(nFET)，其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线，以及其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。

本发明的另一方面提供了一种集成电路，该集成电路包括：至少一个第一标准单元；第二标准单元，在第一方向上与所述至少一个第一标准单元的一侧相邻；以及第一布设线，设置在所述至少一个第一标准单元或第二标准单元上，其中所述至少一个第一标准单元和第二标准单元中的每个具有根据不同的金属轨道设计而设置的第一布设线，其中所述至少一个第一标准单元和第二标准单元中的每个包括：至少一个第一有源区，所述至少一个第一有源区在第一方向上延伸并且p型晶体管设置在所述至少一个第一有源区上；至少一个第二有源区，所述至少一个第二有源区在第一方向上延伸并且n型晶体管设置在所述至少一个第二有源区上；有源区分隔层，在第一方向上延伸并设置在第一有源区和第二有源区之间；绝缘栅极和至少一个栅极堆叠，在第二方向上延伸并与第一有源区、第二有源区和有源区分隔层交叉；以及至少两个源极/漏极接触，在第二方向上延伸并设置于在第一方向上彼此相邻的栅极堆叠之间，其中金属轨道设计包括多个金属轨道，第一布设线可以以标准单元为基础设置在所述多个金属轨道上，以及其中第一布设线通过通路连接到栅极堆叠或源极/漏极接触。

本发明的另一方面提供了一种集成电路，该集成电路包括：第一标准单元组；第二标准单元组，邻接第一标准单元组的第一侧；以及第三标准单元组，在第一方向上邻接第一标准单元组的第二侧和第二标准单元组的第一侧；以及第一金属布设层，设置在第一标准单元组至第三标准单元组上，其中第一标准单元组至第三标准单元组中的每个包括有源区、源极/漏极接触、栅极接触和绝缘栅极，其中第一金属布设层包括通过通路连接到源极/漏极接触或栅极接触的至少一条第一布设线、至少一条电力布设线、以及填充在第一布设线和电力布设线之间的层间绝缘层，以及其中第一标准单元组、第二标准单元组和第三标准单元组中的每个包括不设置在与邻接任一侧的相邻标准单元上的第一布设线相同的在所述第一方向上的延伸线上的至少一条第一布设线。