[发明专利]包括标准单元的集成电路在审
申请号: | 202110356220.8 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113497031A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 柳志秀;徐在禹;白尚训;俞炫圭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 标准 单元 集成电路 | ||
1.一种包括多个标准单元的集成电路,所述集成电路包括:
第一标准单元组,包括至少两个第一标准单元;
第二标准单元组,在第一方向上与所述第一标准单元组相邻,所述第二标准单元组包括至少一个第二标准单元;以及
第一绝缘栅极,与所述第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接,
其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管和n型晶体管,
其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线,以及
其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述至少两个第一标准单元和所述至少一个第二标准单元中的每个包括:
第一有源区,所述第一有源区在第一方向上延伸并且所述p型晶体管设置在所述第一有源区上;
第二有源区,所述第二有源区在所述第一方向上延伸并且所述n型晶体管设置在所述第二有源区上;
有源区分隔层,配置为将所述第一有源区与所述第二有源区分隔开;
至少一个栅极堆叠,在第二方向上延伸并与所述第一有源区、所述第二有源区和所述有源区分隔层交叉;以及
至少两个源极/漏极接触,在所述第二方向上延伸并与所述第一有源区和所述第二有源区中的至少一个交叉,所述源极/漏极接触在所述栅极堆叠之间或在所述第一绝缘栅极和所述栅极堆叠之间彼此间隔开,
其中所述第一布设线设置在通过通路连接到所述栅极堆叠或所述源极/漏极接触的第一金属层级处。
3.根据权利要求1所述的集成电路,
其中所述对应的设计包括多个预设的金属轨道,以及
其中每个所述第一布设线设置在所述金属轨道中的任何一个上。
4.根据权利要求3所述的集成电路,
其中所述至少两个第一标准单元中的一个第一标准单元包括至少两个第一金属轨道,以及
所述至少一个第二标准单元中的一个第二标准单元包括第二金属轨道,以及
其中所述一个第二标准单元的所述第二金属轨道的数量不同于所述一个第一标准单元的所述第一金属轨道的数量。
5.根据权利要求3所述的集成电路,
其中所述至少两个第一标准单元中的一个第一标准单元包括在第一方向上延伸的第一金属轨道,以及
其中所述至少一个第二标准单元中的一个第二标准单元包括在所述第一方向和第二方向上延伸的至少一个第二金属轨道。
6.根据权利要求3所述的集成电路,
其中所述至少两个第一标准单元中的一个第一标准单元包括在第一方向上延伸的至少两个第一金属轨道,
其中所述至少一个第二标准单元中的一个第二标准单元包括在所述第一方向上延伸的第二金属轨道,
其中所述一个第二标准单元的所述第二金属轨道的数量等于所述一个第一标准单元的所述第一金属轨道的数量,以及
其中所述第一金属轨道中的至少一个不设置在与所述第二金属轨道相同的线上。
7.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:
第三标准单元组,在第二方向上与所述第一标准单元组相邻并包括至少一个第三标准单元;以及
在所述第一方向上延伸的电力布设线,所述电力布设线与所述第一标准单元中的至少一个的另一侧和所述至少一个第三标准单元的一侧邻接,
其中所述第一标准单元和所述第三标准单元具有不同设计的第一布设线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的