[发明专利]太阳能电池前驱体、制备方法、太阳能电池及光伏组件

说明书

本发明提供一种太阳能电池前驱体、太阳能电池制备方法及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池前驱体包括：半导体基体和接电点；半导体基体的向光面和/或背光面上具有主栅待镀区域和细栅待镀区域，主栅待镀区域与细栅待镀区域相交；接电点位于在主栅待镀区域内。本申请中，可以利用太阳能电池前驱体电镀制备得到太阳能电池，太阳能电池前驱体包括半导体基体以及半导体基体中主栅待镀区域中的接电点，因此，在进行电镀之前，仅需要在主栅待镀区域中制备用于与电镀设备电连接的接电点，就可以完成后续电镀制备主栅电极和细栅电极的过程，从而无需通过复杂的工艺制备电镀种子层，简化了工艺流程，进而提高了太阳能电池的制备效率。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池前驱体、太阳能电池制备方法及太阳能电池、光伏组件。

背景技术

晶体硅太阳电池由于其能量转换效率高，是目前市场占有率最高的太阳能电池。如何在提高晶体硅太阳电池和组件的转换效率的同时，降低其生产成本是业界面临的最大难题。

目前大规模的硅太阳电池制造技术，通常采用丝网印刷方式来制备硅太阳电池的金属栅线电极，但丝网印刷的精度有限，印刷得到的电极形貌高低起伏，烧结后电极展宽较大，使得形成的电极高宽比较低，从而造成硅太阳电池受光面的有效受光面积减小，另外丝网印刷制成的硅太阳电池的串联电阻较大。因此，常采用电镀的方式来降低电极的遮光，并有效降低电极的电阻及晶体硅太阳电池的串联电阻。具体的，需要提前在硅片上形成用于导电的种子层以进行后续的电镀工序，例如通过溅射或光诱导镀覆的方式形成种子层，然后再通过电镀在种子层上形成电极。

但是，在现有技术中，利用溅射或光诱导镀覆的方式制备种子层的过程，需要专门的设备，以及掩膜和特定的光源等条件，导致制备过程复杂，操作繁琐，难以大规模生产。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池前驱体、太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件，旨在解决太阳能电池在电镀制备电极的过程中，工艺复杂，制备效率低的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池前驱体，所述太阳能电池前驱体包括：所述半导体基体的向光面和/或背光面上具有主栅待镀区域和细栅待镀区域，所述主栅待镀区域与所述细栅待镀区域相交；

所述接电点位于在所述主栅待镀区域内。

可选的，所述半导体基体包括：半导体底板以及覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上的绝缘钝化层；

所述绝缘钝化层开设有主栅开口和细栅开口，所述细栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述细栅待镀区域，所述主栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述主栅待镀区域；

或，

所述半导体基体包括：

半导体底板；

绝缘钝化层，覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上；

细栅种子层，穿透所述绝缘钝化层与所述半导体底板电连接；所述细栅种子层形成所述细栅待镀区域；

以及主栅种子层，穿透所述绝缘钝化层与所述半导体底板电连接；所述主栅种子层形成所述主栅待镀区域；

或，

所述半导体基体包括：

半导体底板；

绝缘钝化层，覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上；所述绝缘钝化层开设有细栅开口；所述细栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述细栅待镀区域，

以及主栅覆盖种子层，形成于所述绝缘钝化层上，且所述主栅覆盖种子层与所述细栅开口的所述半导体底板电连接；所述主栅覆盖种子层形成所述主栅待镀区域；

或，