[发明专利]太阳能电池前驱体、制备方法、太阳能电池及光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池前驱体，其特征在于，所述太阳能电池前驱体包括：半导体基体和接电点；

所述半导体基体的向光面和/或背光面上具有主栅待镀区域和细栅待镀区域，所述主栅待镀区域与所述细栅待镀区域相交；

所述接电点位于在所述主栅待镀区域内。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述半导体基体包括：半导体底板以及覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上的绝缘钝化层；

所述绝缘钝化层开设有主栅开口和细栅开口，所述细栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述细栅待镀区域，所述主栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述主栅待镀区域；

或，

所述半导体基体包括：

半导体底板；

绝缘钝化层，覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上；

细栅种子层，穿透所述绝缘钝化层与所述半导体底板电连接；所述细栅种子层形成所述细栅待镀区域；

以及主栅种子层，穿透所述绝缘钝化层与所述半导体底板电连接；所述主栅种子层形成所述主栅待镀区域；

或，

所述半导体基体包括：

半导体底板；

绝缘钝化层，覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上；所述绝缘钝化层开设有细栅开口；所述细栅开口暴露出所述半导体底板的区域形成所述细栅待镀区域，

以及主栅覆盖种子层，形成于所述绝缘钝化层上，且所述主栅覆盖种子层与所述细栅开口的所述半导体底板电连接；所述主栅覆盖种子层形成所述主栅待镀区域；

或，

所述半导体基体包括：

半导体底板；

绝缘钝化层，覆盖在所述半导体底板的向光面和/或背光面上；

细栅种子层，穿透所述绝缘钝化层与所述半导体底板电连接；所述细栅种子层形成所述细栅待镀区域；

以及主栅覆盖种子层，形成于所述绝缘钝化层上，且所述主栅覆盖种子层与所述细栅种子层电连接；所述主栅覆盖种子层形成所述主栅待镀区域。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述接电点的面积为0.1-10平方毫米。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述接电点的形状为椭圆形。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述接电点包括：

圆形导电部，设置在所述圆形导电部外侧的环形导电部，以及连接所述圆形导电部和所述环形导电部的连接导电部。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述主栅待镀区域包括多条平行设置的第一条形区域，所述细栅待镀区域包括多条平行设置的第二条形区域，所述第一条形区域与所述第二条形区域垂直相交。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池前驱体，其特征在于，所述接电点设置在所述第一条形区域靠近所述半导体基体的侧边的端部；

或，

所述接电点设置在所述第一条形区域的中间位置，且与所述半导体基体中相对的两条侧边的距离相等。

8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供太阳能电池前驱体，所述太阳能电池前驱体为权利要求1-7任一所述的太阳能电池前驱体；

将所述太阳能电池前驱体的接电点与电镀设备电连接，对所述太阳能电池前驱体进行电镀，以在所述太阳能电池前驱体的细栅待镀区域中形成细栅电极，在所述太阳能电池前驱体的主栅待镀区域中形成主栅电极，得到太阳能电池。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述太阳能电池前驱体通过如下步骤获得：

提供半导体基体；

在所述半导体基体的主栅待镀区域内形成所述接电点。