[发明专利]用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路

权利要求书

1.用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，其特征是，包括：输入接收电路(1)、X级前后级联的共模可调放大电路(2)、高灵敏度共模可调放大电路(3)、输出整形电路(4)和共模自适应调整电路(5)；所述输入接收电路(1)首先接收正端接收信号RXP和负端接收信号RXN，经滤波处理得到正端输入信号Vip和负端输入信号Vin；正端输入信号Vip和负端输入信号Vin进入X级前后级联的共模可调放大电路(2)中的第一级共模可调放大电路，最终得到第X级共模可调放大电路的正端输出信号VoXp和负端输出信号VoXn；正端输出信号VoXp和负端输出信号VoXn分别连接高灵敏度共模可调放大电路(3)的正输入端和负输入端，高灵敏度共模可调放大电路(3)输出一组差分输出信号，包括正端输出信号VoNp和负端输出信号VoNn；输出整形电路(4)根据正端输出信号VoNp和负端输出信号VoNn的大小，经处理得到最终的输出数据Dout；所述共模自适应调整电路(5)根据电源和地电压信号的变化，自适应产生用于各级放大电路的共模调整信号C11，C12，C21，C22，…，CX1，CX2，共模自适应调整电路(5)产生的共模调整信号C11和C12分别连接到第一级共模可调放大电路的共模调整信号输入端；共模调整信号C21和C22分别连接到第二级共模可调放大电路的共模调整信号输入端；以此类推，共模调整信号CX1和CX2分别连接到第X级共模可调放大电路的共模调整信号输入端；共模自适应调整电路(5)还产生共模调整信号CN1和CN2，分别连接到高灵敏度共模可调放大电路(3)的共模调整信号输入端；其中，X为大于1的正整数，N为大于X的正整数。

2.根据权利要求1所述的用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，其特征是，所述输入接收电路(1)包括：正端隔离电容C51、正端接地电阻R51、正端耦合电容C52、正端共模电阻R53、负端隔离电容C53、负端接地电阻R52、负端耦合电容C54、负端共模电阻R54和接收共模产生电路(101)；所述正端隔离电容C51的左端和负端隔离电容C53的左端分别连接到正端接收信号RXP和负端接收信号RXN；正端隔离电容C51的右端连接到正端接地电阻R51的下端和正端耦合电容C52的左端；负端隔离电容C53的右端连接到负端接地电阻R52的下端和负端耦合电容C54的左端；正端耦合电容C52的右端连接到正端共模电阻R53的上端，并作为正端输入信号Vip的输出端；负端耦合电容C54的右端连接到负端共模电阻R54的下端，并作为负端输入信号Vin的输出端；正端共模电阻R53的下端和负端共模电阻R54的上端相连，并同时连接到接收共模产生电路(101)的共模输出端Vicm。

3.根据权利要求2所述的用于高压栅驱动芯片的高共模瞬态抑制差分信号接收电路，其特征是，所述接收共模产生电路(101)包括：NMOS管M60、NMOS管M61、PMOS管M62、NMOS管M63、PMOS管M610、NMOS管M611、PMOS管M612、NMOS管M613、NMOS管M614、PMOS管M615和电阻R61，以及一个施密特触发器(600)；

NMOS管M60的栅极连接到输入共模电压Vcm；NMOS管M60的漏极连接到PMOS管M62的漏极和栅极、以及NMOS管M63的栅极；NMOS管M61的栅极连接到输入共模控制信号Vctrl；NMOS管M61的漏极和NMOS管M63的漏极相连，并连接到所述施密特触发器(600)的输入端；所述施密特触发器(600)的输出端同时连接到PMOS管M610栅极、NMOS管M611栅极、PMOS管M612栅极和NMOS管M613栅极；PMOS管M610的漏极和NMOS管M611的漏极相连，还连接到NMOS管M614的栅极；PMOS管M612的漏极和NMOS管M613的漏极相连，还连接到PMOS管M615的栅极；NMOS管M614的源极和PMOS管M615的源极相连，还作为所述共模输出端Vicm的输出端口；NMOS管M614的漏极连接到高输入共模电平Vcmh，PMOS管M615的漏极连接到低输入共模电平Vcml；NMOS管M613的源极连接到电阻R61的上端；NMOS管M60源极、NMOS管M61源极、NMOS管M611源极和电阻R61的下端同时连接到地电压GND；PMOS管M62源极、NMOS管M63源极和PMOS管M610源极同时连接到电源电压VDD。