[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，以及衬底上的外围电路和存储单元；所述存储单元中的氢元素高于所述外围电路中的氢元素；

所述外围电路和所述存储单元之间利用隔离层隔开，所述隔离层包括第一介质层、导体层和第二介质层的叠层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路位于所述存储单元和所述衬底之间，所述存储单元上形成有氮化硅层，以利用所述氮化硅层提供氢源；或，

所述存储单元位于所述外围电路和所述衬底之间，所述存储单元和所述衬底之间还形成有氮化硅层，以利用所述氮化硅层提供氢源；或，

所述外围电路所在衬底区域位于所述存储单元所在衬底区域之外，所述外围电路和所述存储单元上形成有氮化硅层，以利用所述氮化硅层为所述存储单元提供氢源，所述隔离层还形成于所述氮化硅层和所述外围电路之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路位于所述存储单元和所述衬底之间时，所述存储单元通过键合形成于所述外围电路之上；所述存储单元位于所述外围电路和所述衬底之间时，所述外围电路通过键合形成于所述存储单元之上。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路上方或下方的隔离层中形成有贯穿所述隔离层的通孔，所述通孔中形成有导体塞和包围所述导体塞侧壁的第三介质层，所述导体塞用于连接所述外围电路和所述存储单元。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第三介质层的材料为氧化硅，所述导体塞的材料为钨。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材料为氧化硅，所述导体层的材料为氮化钛。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成外围电路，存储单元，以及位于所述外围电路和所述存储单元之间的隔离层；所述存储单元中的氢元素高于所述外围电路中的氢元素，所述隔离层包括第一介质层、导体层和第二介质层的叠层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成外围电路、存储单元，以及位于所述外围电路和所述存储单元之间的隔离层，包括：

在所述衬底上依次形成外围电路、所述外围电路上的隔离层、所述隔离层上的存储单元、所述存储单元上的氮化硅层；所述氮化硅层用于提供氢源；或，

在所述衬底上依次形成氮化硅层、所述氮化硅层上的存储单元、所述存储单元上的隔离层、所述隔离层上的外围电路；所述氮化硅层用于提供氢源；或，

在所述衬底上形成外围电路、位于所述外围电路侧壁和顶部的隔离层、位于所述外围电路所在衬底区域之外的衬底区域的存储单元、所述外围电路和所述存储单元上的氮化硅层；所述氮化硅层用于提供氢源；或，

在所述衬底上形成存储单元、位于所述存储单元侧壁的第一隔离部分、位于所述存储单元所在衬底区域之外的衬底区域的外围电路、所述外围电路顶部的第二隔离部分、所述外围电路和所述存储单元上的氮化硅层；所述氮化硅层用于提供氢源；所述第一隔离部分和所述第二隔离部分构成隔离层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述外围电路位于所述存储单元和所述衬底之间时，所述存储单元通过键合形成于所述外围电路之上；所述存储单元位于所述外围电路和所述衬底之间时，所述外围电路通过键合形成于所述存储单元之上。

10.根据权利要求7-9任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述外围电路上方或下方的隔离层中形成贯穿所述隔离层的通孔；所述通孔的侧壁上形成有第三介质层；

在所述通孔中形成导体塞，所述导体塞用于连接所述外围电路和所述存储单元。