[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜

权利要求书

1.一种六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：对金属箔衬底进行预处理；

步骤2：将多片预处理后的金属箔衬底与基片形成限域生长结构；

步骤3：将步骤2得到的限域生长结构置于气相沉积腔室中，同时将六方氮化硼前驱体置于该气相沉积腔室中；

步骤4：向所述气相沉积腔室通入载气，以在所述金属箔衬底上高温沉积单层六方氮化硼薄膜。

2.根据权利要求1所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1包括：

选取过渡金属材料作为金属箔衬底；

对所述金属箔衬底进行清洗；

对清洗过后的金属箔衬底进行抛光处理；

对抛光后的金属箔衬底进行退火处理，以完成金属箔衬底的预处理。

3.根据权利要求2所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，对所述金属箔衬底进行清洗，包括：

将所述金属箔衬底依次在丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水中超声清洗，然后用氮气吹干。

4.根据权利要求2所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，对清洗过后的金属箔衬底进行抛光处理，包括：

将所述金属箔衬底清洗吹干后浸入电解池，利用抛光液进行电化学抛光处理。

5.根据权利要求4所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述抛光液的成分包括去离子水、磷酸、乙醇、异丙醇及尿素。

6.根据权利要求4所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述电化学抛光处理过程的温度为40～50℃，电压为5～10V，电流为3～5A，时间为30s～5min。

7.根据权利要求1所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2包括：

将所述多片预处理后的金属箔衬底与基片交替堆叠，形成层状限域生长结构；其中，层状限域生长结构的最上层和最下层均为基片，且所有基片均经过双面抛光处理。

8.根据权利要求1所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼前驱体为固态硼烷氨络合物，且被置于石英套管中。

9.根据权利要求1所述的六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述载气为氩气和氢气的混合气体，且氩气和氢气的流量比为10～100。

10.一种六方氮化硼薄膜，其特征在于，所述六方氮化硼薄膜采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。