[发明专利]一种切片电池的制备方法及激光设备有效

专利信息
申请号: 202110341831.5 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113257951B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州联诺太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B23K26/38;B23K26/70;B23K26/00
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 蓝晓玉
地址: 215200 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 切片 电池 制备 方法 激光设备
【说明书】:

本公开实施例提供了一种切片电池的制备方法及激光设备,属于太阳能电池技术领域。该切片电池的制备方法包括划片处理步骤和光注入处理步骤,所述光注入处理步骤和所述划片处理步骤在同一台激光设备的不同腔室或相同腔室完成。通过使用同一台激光设备对电池片进行划片处理和光注入处理,避免在对电池片进行两个不同处理时将其移动至不同的设备平台,从而提高切片电池的制备效率,并且可以减少设备占地,且采用先划片后光注入的制备顺序,划片处理后的电池片的表面具有切面,相比于现有技术中先光注入后划片的制备顺序,可以使得切面处具有钝化效果或在完成光注入的同时加强切面处的钝化效果,降低切片电池总效率的损失。

技术领域

本公开涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种切片电池的制备方法及激光设备。

背景技术

近年来,随着太阳能电池技术瓶颈的不断突破,高效电池、组件的开发越来越受到人们的重视。随着大尺寸硅片的推广,低内耗的切片电池组件(如半片、拼片、叠瓦等)技术势必会成为光伏组件的未来主流趋势。

针对切片技术,行业内存在技术难点为切片效率损失过大。以异质结电池为例,目前行业内常规半切片异质结电池制备流程为:制绒清洗、正反面非晶硅膜层沉积、正反面TCO膜层沉积、印刷固化、LED光注入处理和激光划片。使用该流程制备的半切片异质结电池,效率损失约0.3%左右。对于常规切割方式,效率损失主要来源为激光热损失、裂片损失和切面处钝化缺陷损失等。

发明内容

有鉴于此,本公开实施例提供一种切片电池的制备方法及激光设备,至少部分解决现有技术中存在的问题。

第一方面,本公开实施例提供了一种切片电池的制备方法,包括划片处理步骤和光注入处理步骤,所述光注入处理步骤和所述划片处理步骤在同一台激光设备的不同腔室或相同腔室完成。

可选地,所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的不同腔室完成时,所述不同腔室分别具有第一激光光源和第二激光光源,所述第二激光光源为与所述第一激光光源不同的激光光源;

所述划片处理步骤中利用所述第一激光光源进行划片处理;

所述光注入步骤中利用所述第二激光光源进行光注入处理。

可选地,所述第一激光光源选择为红外激光光源、绿光激光光源或紫外光激光光源;

所述第二激光光源选择为红外激光光源。

可选地,所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的不同腔室完成时,所述不同腔室分别具有第三激光光源和LED光源;

所述划片处理步骤中利用所述第三激光光源进行划片处理;

所述光注入步骤中利用所述LED光源进行光注入处理。

可选地,所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的相同腔室完成时,所述腔室内具有第四激光光源和第五激光光源,所述第四激光光源为与所述第五激光光源不同的激光光源;

所述划片处理步骤中利用所述第四激光光源进行划片处理;

所述光注入步骤中利用所述第五激光光源进行光注入处理。

可选地,所述第四激光光源选择为红外激光光源、绿光激光光源或紫外光激光光源;

所述第五激光光源选择为红外激光光源。

可选地,所述划片处理步骤在所述光注入处理步骤之前。

可选地,所述划片处理步骤中,划片深度为范围在大于或等于30%中的任一值;

可选地,所述划片处理步骤中,切片的数量大于或等于2。

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