[发明专利]一种切片电池的制备方法及激光设备有效
| 申请号： | 202110341831.5 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113257951B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B23K26/38;B23K26/70;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 蓝晓玉 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切片 电池 制备 方法 激光设备 | ||
1.一种切片电池的制备方法，其特征在于，包括划片处理步骤和光注入处理步骤，所述光注入处理步骤和所述划片处理步骤在同一台激光设备的不同腔室或相同腔室完成。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的不同腔室完成时，所述不同腔室分别具有第一激光光源和第二激光光源，所述第二激光光源为与所述第一激光光源不同的激光光源；
所述划片处理步骤中利用所述第一激光光源进行划片处理；
所述光注入步骤中利用所述第二激光光源进行光注入处理。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一激光光源选择为红外激光光源、绿光激光光源或紫外光激光光源；
所述第二激光光源选择为红外激光光源。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的不同腔室完成时，所述不同腔室分别具有第三激光光源和LED光源；
所述划片处理步骤中利用所述第三激光光源进行划片处理；
所述光注入步骤中利用所述LED光源进行光注入处理。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述划片处理步骤和所述光注入处理步骤在同一台激光设备的相同腔室完成时，所述腔室内具有第四激光光源和第五激光光源，所述第四激光光源为与所述第五激光光源不同的激光光源；
所述划片处理步骤中利用所述第四激光光源进行划片处理；
所述光注入步骤中利用所述第五激光光源进行光注入处理。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第四激光光源选择为红外激光光源、绿光激光光源或紫外光激光光源；
所述第五激光光源选择为红外激光光源。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述划片处理步骤在所述光注入处理步骤之前。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述划片处理步骤中，划片深度为范围在大于或等于30％中的任一值；
所述划片处理步骤中，切片的数量大于或等于2。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述光注入处理步骤中，光注入强度为范围在10-200suns中的任一值，光注入时间为范围在10-900s中的任一值；
所述光注入处理步骤中，光注入强度范围为范围在50-120suns中的任一值；
所述光注入处理步骤中，所述光注入时间为范围在10-60s中的任一值；
所述光注入处理步骤中，对经过划片处理的电池片进行表面温度控制，以控制所述电池片的表面温度为范围在190-250℃中的任一值。
10.一种激光设备，其特征在于，包括腔室，用于为如权利要求1-9中任一项所述的制备方法中的划片处理步骤和光注入处理步骤提供处理空间。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
