[发明专利]一种可见光CMOS探测器及其加固方法有效
申请号: | 202110339079.0 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN112736108B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 李阳 | 申请(专利权)人: | 西安索唯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人: | 骆怡洁 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区丈八*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 cmos 探测器 及其 加固 方法 | ||
本发明是关于一种可见光CMOS探测器及其加固方法。该探测器包括:基体,具有容纳腔;光敏层,设置于容纳腔底部;玻璃光窗,设置于容纳腔上方,并与基体粘接,以将容纳腔进行密封;其中,光敏层与玻璃光窗之间具有真空层;保护层,粘接于玻璃光窗上方,且该保护层上方镀有增透膜,该保护层厚度介于1.5mm~2.5mm之间,以保证该探测器在使用中能够承受预设过载。本发明通过在探测器的玻璃光窗上粘接一片具有预设厚度的保护玻璃,且该保护玻璃上镀有增透膜,该种方式一方面将不影响探测器的性能;另一方面,可解决探测器在高过载条件下玻璃光窗破碎的问题。
技术领域
本发明涉及光学仪器技术领域,尤其涉及一种可见光CMOS探测器及其加固方法。
背景技术
CMOS图像探测器是20世纪80年代为克服CCD图像探测器生产工艺复杂、功耗大、价格高、不能单片系统集成和有光晕等不足而研究的新型图像探测器,与CCD产品相比,CMOS图像探测器具有集成度高、功耗低、成像速度快、响应范围宽、抗辐射性强以及成本低的特点。因此在许多应用领域,已经有越来越多的CMOS图像探测器被应用以替代CCD图像探测器。
现有的CMOS探测器在民品、工业领域的主要应用为手机成像、监控、自动化检测等。但将CMOS图像探测器应用于高过载环境下,除CMOS探测器本身的性能之外对于器件的可靠性要求是关键,最主要的是对于器件的工作温度要求、冲击振动要求等。若是将CMOS图像探测器应用于高过载环境下,由于探测器玻璃光窗的厚度很薄,而且为提高探测器的分辨率,相应地会将探测器的阵面扩大,而阵面扩大会相应增加探测器受冲击的面积,在实际使用过程中,对CMOS图像探测器的瞬间过载一般≥8000g,会直接导致玻璃光窗破碎,从而导致器件损坏。因此,有必要提供一种新的技术方案改善上述方案中存在的一个或者多个问题。
需要注意的是,本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可见光CMOS探测器及其加固方法,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本发明的第一方面,提供一种可见光CMOS探测器,包括:
基体,具有容纳腔;
光敏层,设置于所述容纳腔底部;
玻璃光窗,设置于所述容纳腔上方,并与所述基体粘接,以将所述容纳腔进行密封;
其中,所述光敏层与所述玻璃光窗之间具有真空层;
保护层,粘接于所述玻璃光窗上方,且该保护层上方镀有增透膜,该保护层厚度介于1.5mm~2.5mm之间,以保证该探测器在使用中能够承受预设过载。
本发明中,所述保护层由K9玻璃材料制成。
本发明中,所述保护层与所述玻璃光窗的形状适配。
本发明中,该探测器在使用中能够承受的最大过载为12000g。
根据本发明的第二方面,提供一种可见光CMOS探测器加固方法,应用于上述实施例所述的可见光CMOS探测器上,包括:
清理探测器的玻璃光窗表面以及待安装保护玻璃的表面;
确认所述保护玻璃的镀膜面和粘接面;
将紫外光固化胶均匀涂抹于所述玻璃光窗表面,并将所述保护玻璃的粘接面覆盖于所述玻璃光窗表面;
保持所述探测器水平放置,使得所述保护玻璃与所述玻璃光窗重合;
通过UV点光源固化机照射粘接有所述保护玻璃的所述探测器第一预设时长,使得所述保护玻璃与所述玻璃光窗之间达到预固化;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的