[发明专利]一种可见光CMOS探测器及其加固方法有效
申请号: | 202110339079.0 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN112736108B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 李阳 | 申请(专利权)人: | 西安索唯光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人: | 骆怡洁 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区丈八*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 cmos 探测器 及其 加固 方法 | ||
1.一种可见光CMOS探测器加固方法,应用于可见光CMOS探测器上,该探测器包括,基体,具有容纳腔;光敏层,设置于所述容纳腔底部;玻璃光窗,设置于所述容纳腔上方,并与所述基体粘接,以将所述容纳腔进行密封;其中,所述光敏层与所述玻璃光窗之间具有真空层;保护层,粘接于所述玻璃光窗上方,且该保护层上方镀有增透膜,该保护层厚度介于1.5mm~2.5mm之间,以保证该探测器在使用中能够承受预设过载;其特征在于,所述方法包括:
清理探测器的玻璃光窗表面以及待安装保护玻璃的表面;
确认所述保护玻璃的镀膜面和粘接面;
将紫外光固化胶均匀涂抹于所述玻璃光窗表面,并将所述保护玻璃的粘接面覆盖于所述玻璃光窗表面;
保持所述探测器水平放置,使得所述保护玻璃与所述玻璃光窗重合;
通过UV点光源固化机照射粘接有所述保护玻璃的所述探测器第一预设时长,使得所述保护玻璃与所述玻璃光窗之间达到预固化;
将预固化处理后的所述探测器放置于紫外光固化装置中照射第二预设时长,以完成对所述探测器的加固。
2.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述保护层由K9玻璃材料制成。
3.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述保护层与所述玻璃光窗的形状适配。
4.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,该探测器在使用中能够承受的最大过载为12000g。
5.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述通过UV点光源固化机照射粘接有所述保护玻璃的所述探测器第一预设时长的步骤,还包括:
移动所述UV点光源固化机,并延长照射时间以确保所述保护玻璃与探测器接触的所有区域均达到预固化。
6.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述将预固化处理后的所述探测器放置于紫外光固化装置中照射第二预设时长的步骤之前,还包括:
再次确认所述保护玻璃与所述玻璃光窗是否完全重合,若重合则将所述探测器放置于紫外光固化装置中照射第二预设时长。
7.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述第一预设时长介于2.5~4秒之间。
8.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述第二预设时长介于3~3.5小时之间。
9.根据权利要求1所述可见光CMOS探测器加固方法,其特征在于,所述紫外光固化胶采用NOA61型号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的