[发明专利]显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110337580.3 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113097416A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 唐甲 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 李新干
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

阵列基板;

辅助电极,设于所述阵列基板顶面;

平坦层,贴附于所述阵列基板顶面,且包覆所述辅助电极;

第一像素限定层,具有若干彼此平行的第一像素限定条,设于所述平坦层的顶面,相邻的两个第一像素限定条之间存在第一间隙;

第二像素限定层,具有若干彼此平行的第二像素限定条,交叉设置于所述第一像素限定条顶面,且延伸至多个第一间隙处的平坦层顶面;

所述第二像素限定条与所述第一像素限定条的交叠区域设有通孔,所述通孔依次贯穿所述第二像素限定层、所述第一像素限定层及所述平坦层,且与所述辅助电极相对设置;两个相邻的第一像素限定条与两个相邻的第二像素限定条围成凹槽;以及

发光器件,设于所述第一像素限定层及所述第二像素限定层顶面,且延伸至所述通孔的孔壁及所述凹槽的侧壁,所述发光器件包括阴极,连接至所述辅助电极。

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件包括:

阳极,其底端贯穿所述平坦层及所述阵列基板,且连接至所述阵列基板内的源极,其顶端延伸至所述平坦层顶面;以及

有机发光层,设于所述凹槽内,且电连接至所述阳极。

3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述阳极顶端的中部形成所述凹槽的底面,所述阳极顶端的边缘处被第一像素限定条和/或第二像素限定条覆盖。

4.如权利要求1所述显示面板,其特征在于,所述发光器件包括:

电子功能层,贴附于所述第一像素限定层及所述第二像素限定层顶面,且延伸至所述通孔的孔壁、所述凹槽的侧壁及有机发光层的顶面;以及

阴极,贴附于所述电子功能层的顶面,且延伸至所述辅助电极。

5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:

若干底切层,与所述阳极的顶端同层设置于所述平坦层顶面;

所述底切层的一端位于所述交叠区域内,其另一端延伸至所述通孔中形成遮挡结构,所述遮挡结构与所述辅助电极边缘处的一部分相对设置。

6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

在一阵列基板上形成辅助电极;

在所述阵列基板和所述辅助电极上形成平坦层;

在所述平坦层上若干第一像素限定条,所述第一像素限定条组合形成第一像素限定层;

在所述平坦层和部分第一像素限定层上形成若干与所述第一像素限定条相交的第二像素限定条,所述第二像素限定条组合形成第二像素限定层;

所述第一像素限定条与所述第二像素限定条之间相交的区域为交叠区域,在所述交叠区域内形成通孔,所述通孔贯穿所述平坦层、所述第一像素限定层和所述第二像素限定层并延伸至所述辅助电极的表面;

两个相邻的第一像素限定条与两个相邻的第二像素限定条围成凹槽;以及

在所述第一像素限定层和所述第二像素限定层顶面、所述通孔的孔壁及所述凹槽的侧壁上形成发光器件及所述发光器件的阴极。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:

在所述平坦层上形成阳极,所述阳极对应于所述凹槽;以及

在所述凹槽内的阳极表面上形成有机发光层。

8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,

在所述凹槽、所述第一像素限定层所述第二像素限定层以及所述通孔的孔壁上通过蒸镀法形成电子功能层;以及

在所述电子功能层和所述辅助电极上通过蒸镀法形成阴极;

其中,蒸镀所述电子功能层时,其蒸镀源的蒸镀方向朝向所述通孔远离所述发光器件一侧;蒸镀所述阴极层时,其蒸镀源的蒸镀方向朝向所述通孔靠近所述发光器件的一侧。

9.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:在形成所述阳极的同时在所述交叠区域内的平坦层上形成底切层。

10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,

形成所述第一像素限定层的步骤包括以下步骤:

在所述平坦层上沉积一层有机材料层,将所述有机材料层图案化,形成初始第一像素限定条,并去除对应所述通孔处的初始第一像素限定条;

通过干法蚀刻或灰化法减薄所述初始第一像素限定条的厚度,形成所述第一像素限定条;以及

在减薄所述初始第一像素限定条的厚度同时扩大所述平坦层中通孔的孔径,使部分底切层裸露在所述通孔中,形成遮挡结构;

形成所述第二像素限定层的步骤包括以下步骤:

在所述平坦层和所述第一像素限定层上形成沉积一层绝缘材料层,将所述绝缘材料层图案化,形成所述第二像素限定条,并去除对应所述通孔处的第二像素限定条。

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