[发明专利]覆板及其制造方法在审
申请号: | 202110337576.7 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113471101A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 万芬;刘卫军 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05D1/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 姜雁琪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 | ||
1.一种覆板,所述覆板包括覆板坯料和覆盖于所述覆板坯料的外表面上的涂层,其中
所述覆板坯料包括中心区域和渐缩的边缘区域;
所述渐缩的边缘区域相对于所述覆板坯料的径向方向具有不大于20度的平均渐缩角度;并且
所述涂层覆盖于所述覆板坯料的整个所述中心区域和所述渐缩的边缘区域的至少一部分上。
2.根据权利要求1所述的覆板,其中,所述涂层包括位于所述渐缩的边缘区域内的边缘珠状部,并且所述边缘珠状部的顶点能够位于所述覆板的所述中心区域中的所述涂层的外表面的平面下方。
3.根据权利要求1所述的覆板,其中,表面积比Sc:St为至少15,其中Sc为所述中心区域的表面积,并且St为所述渐缩的边缘区域的表面积。
4.根据权利要求1所述的覆板,其中,相对于所述覆板坯料的高度方向,所述覆板坯料的所述外边缘处的渐缩部从所述覆板坯料的所述中心区域的所述外表面的水平高度开始的深度(Td)是至少20微米并且不大于400微米。
5.根据权利要求1所述的覆板,其中,所述渐缩的边缘区域(Tl)在径向方向上的长度为至少1.0mm。
6.根据权利要求1所述的覆板,其中,所述覆板坯料在所述中心区域内的平均厚度为至少100微米且不大于5000微米。
7.根据权利要求1所述的覆板,其中,所述涂层在所述中心区域内的平均厚度为至少0.1微米且不大于10微米。
8.根据权利要求1所述的覆板,其中,所述渐缩的边缘区域具有不大于10度的渐缩角度。
9.一种形成覆板的方法,所述方法包括:
制备包括中心区域和渐缩的边缘区域的覆板坯料,其中所述渐缩的边缘区域相对于所述覆板坯料的径向方向的渐缩角度不大于20度;以及
在所述覆板坯料的外表面上施加涂层,其中所述涂层覆盖于整个所述中心区域和所述渐缩的边缘区域的至少一部分上。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,施加所述涂层包括旋转涂布。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,旋转涂布包括形成位于所述渐缩的边缘区域内的边缘珠状部。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述边缘珠状部的顶点位于所述覆板的所述中心区域中的所述涂层的外表面的平面下方。
13.根据权利要求11所述的方法,所述方法还包括去除所述边缘珠状部。
14.一种制造制品的方法,所述方法包括:
在衬底上施加可固化组合物的层;
使所述可固化组合物与覆板接触,其中所述覆板包括覆板坯料和覆盖于所述覆板坯料的外表面上的涂层,并且其中
所述覆板坯料包括中心区域和渐缩的边缘区域;
所述渐缩的边缘区域相对于所述覆板坯料的长度方向具有不大于20度的渐缩角度;并且
所述涂层覆盖于所述覆板坯料的整个所述中心区域和所述渐缩的边缘区域的至少一部分上;
用光或热固化所述可固化组合物以形成固化层;
从所述固化层上去除所述覆板;以及
处理具有所述固化层的所述衬底以制造所述制品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造