[发明专利]OTP存储器以及包括该OTP存储器的存储设备在审

专利信息
申请号: 202110334685.3 申请日: 2021-03-29
公开(公告)号: CN113722773A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 金亨锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F21/80 分类号: G06F21/80;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;赵莎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: otp 存储器 以及 包括 存储 设备
【权利要求书】:

1.一次性可编程存储器,包括:

一次性可编程单元阵列,所述一次性可编程单元阵列包括多个一次性可编程单元并被配置为将一次性可编程密钥值存储在布置在多条字线和多条位线的交点处的所述多个一次性可编程单元中;以及

控制电路,所述控制电路被配置为接收擦除指示信号,并且响应于所述擦除指示信号具有第一逻辑电平,通过将所述多个一次性可编程单元编程为相同的一次性可编程密钥值来擦除所有的所述一次性可编程密钥值。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路被配置为当所述一次性可编程存储器中的电源接通时擦除所有的所述一次性可编程密钥值。

3.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路连接到外部电路,并且被配置为通过连接到电源或地的所述外部电路在第一节点处接收所述擦除指示信号。

4.根据权利要求1所述的一次性可编程存储器,其中,所述多个一次性可编程单元中的第一一次性可编程单元包括:

第一晶体管,所述第一晶体管包括连接到编程字线的栅极并被配置为存储第一一次性可编程密钥值;

第二晶体管,所述第二晶体管包括连接到读取字线的栅极并被配置为读取所述第一一次性可编程密钥值;以及

位线,所述位线连接到所述第二晶体管的漏极并被配置为传输所述第一一次性可编程密钥值。

5.根据权利要求4所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路被配置为通过破坏所述第一晶体管的氧化物膜来擦除所述第一一次性可编程单元。

6.根据权利要求4所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路包括:

第一逻辑门,所述第一逻辑门被配置为接收第一信号和所述擦除指示信号,并基于所述第一信号和所述擦除指示信号将编程字线信号输出到所述编程字线;以及

第二逻辑门,所述第二逻辑门被配置为接收第二信号和所述擦除指示信号,并基于所述第二信号和所述擦除指示信号将读取字线信号输出到所述读取字线。

7.根据权利要求6所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路还包括:

位线逻辑电路,所述位线逻辑电路被配置为接收第三信号和所述擦除指示信号,并基于所述第三信号和所述擦除指示信号确定所述位线的位线信号。

8.根据权利要求7所述的一次性可编程存储器,其中,所述控制电路被配置为响应于所述擦除指示信号具有所述第一逻辑电平,与所述第一信号、所述第二信号和所述第三信号无关地将所述多个一次性可编程单元编程为相同的密钥值。

9.根据权利要求7所述的一次性可编程存储器,所述一次性可编程存储器还包括:

读取电路,所述读取电路被配置为将所述位线信号与参考信号进行比较,并基于所述比较的结果输出所述第一一次性可编程密钥值。

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