[发明专利]阵列基板以及显示面板有效
申请号: | 202110334226.5 | 申请日: | 2021-03-29 |
公开(公告)号: | CN113113429B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 龙时宇;许勇 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 以及 显示 面板 | ||
本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板,在阵列基板中,基板依次设置有薄膜晶体管结构层、平坦层和感光器件,薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管;感光器件电连接于第一薄膜晶体管;感光器件包括第一电极、感光层和第二电极;第一电极设置在平坦层上,第一电极包括相连的平展部和凹陷部,凹陷部自平展部向平坦层的厚度方向凹设形成;感光层填充并覆盖凹陷部,第二电极设置在感光层上。本申请在平坦层上形成具有凹陷部的第一电极,使得光线穿过感光层到达凹陷部上时,会在凹陷部上形成多次反射,而在反射的过程中,光线均会穿过感光层,因此增加了感光层吸收光线的效率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板以及显示面板。
背景技术
光学指纹识别技术是利用光的折射和反射原理,当光照射到手指上,被手指反射到感光器件上,由于指纹谷和脊对光的反射不同,感光器件所接受到谷和脊的反射光强不同,然后再将光信号转换为电学信号。
但是在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,感光器件一般由下电极、感光层以及上电极组成。其中下电极除作为电子传输层以外,还对穿透感光层到达下电极的光线反射回感光层以增加感光层对指纹反射光线的吸收效率,提高感光器件的灵敏度。但由于下电极表面相对粗糙,易发生漫反射,造成光线的损失,进而不利于感光器件的感测效率。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板以及显示面板,可以提高感光器件的感测效率。
本申请实施例提供一种阵列基板,其包括:
基板;
薄膜晶体管结构层,所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上,所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管;
平坦层,所述平坦层设置在所述薄膜晶体管结构层上;以及
感光器件,所述感光器件设置在所述平坦层上,所述感光器件电连接于所述第一薄膜晶体管;所述感光器件包括第一电极、感光层和第二电极;
所述第一电极设置在所述平坦层上,所述第一电极包括相连的平展部和凹陷部,所述凹陷部自所述平展部向所述平坦层的厚度方向凹设形成;所述感光层填充并覆盖所述凹陷部,所述第二电极设置在所述感光层上。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述平坦层上设置有凹槽,所述凹陷部形成在所述凹槽上;
所述凹槽的槽壁面与所述凹槽底面所在的平面具有坡度角,所述坡度角为锐角。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述坡度角介于60度至80度之间。
可选的,所述凹槽的深度小于所述平坦层的厚度,所述凹陷部与所述薄膜晶体管结构层的源/漏极分隔设置。
可选的,在所述第一电极中,自所述第一电极的中间区域向所述第一电极的四周区域,所述凹陷部的凹陷深度递减。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述感光器件与所述第一薄膜晶体管至少部分重叠。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、公共电极、第三绝缘层和像素电极;
所述第一绝缘层设置在所述第一电极上,所述第一绝缘层上设置有裸露所述平展部和凹陷部的开口,所述感光层设置在所述开口内并连接于所述第一电极;所述第二绝缘层设置在所述感光层上;所述公共电极设置在所述第二绝缘层上;所述第三绝缘层设置在所述公共电极上;所述像素电极和所述第二电极均设置在所述第三绝缘层上,所述像素电极和所述第二电极同层设置。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述阵列基板还包括电极绝缘层和像素电极;所述感光层包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的