[发明专利]阵列基板以及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层设置在所述基板上，所述薄膜晶体管结构层包括第一薄膜晶体管；

平坦层，所述平坦层设置在所述薄膜晶体管结构层上；以及

感光器件，所述感光器件设置在所述平坦层上，所述感光器件电连接于所述第一薄膜晶体管；所述感光器件包括第一电极、感光层和第二电极；

所述第一电极设置在所述平坦层上，所述第一电极包括相连的平展部和凹陷部，所述凹陷部自所述平展部向所述平坦层的厚度方向凹设形成；所述感光层填充并覆盖所述凹陷部，所述第二电极设置在所述感光层上；

所述平坦层上设置有凹槽，所述凹陷部形成在所述凹槽上；

所述凹槽的槽壁面与所述凹槽底面所在的平面具有坡度角，所述坡度角朝向所述凹槽的外侧，所述坡度角为锐角。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述坡度角介于60度至80度之间。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述平坦层的厚度，所述凹陷部与所述薄膜晶体管结构层的源/漏极分隔设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一电极中，自所述第一电极的中间区域向所述第一电极的四周区域，所述凹陷部的凹陷深度递减。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层、公共电极、第三绝缘层和像素电极；

所述第一绝缘层设置在所述第一电极上，所述第一绝缘层上设置有裸露所述平展部和凹陷部的开口，所述感光层设置在所述开口内并连接于所述第一电极；所述第二绝缘层设置在所述感光层上；所述公共电极设置在所述第二绝缘层上；所述第三绝缘层设置在所述公共电极上；所述像素电极和所述第二电极均设置在所述第三绝缘层上，所述像素电极和所述第二电极同层设置。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括电极绝缘层和像素电极；所述感光层包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；

所述N型半导体层形成在所述第一电极上，所述本征半导体层包裹所述N型半导体层和所述第一电极，所述P型半导体层设置在所述本征半导体层上，所述第二电极设置在所述P型半导体层上；所述电极绝缘层设置在所述第二电极上；所述像素电极设置在所述电极绝缘层上。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层包括依次设置在所述基板上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一金属层、层间介质层和第二金属层；

所述第一金属层包括第一栅极和第二栅极，所述有源层包括第一有源部分和第二有源部分，所述第二金属层包括第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；

所述第一栅极、所述第一有源部分、所述第一源极和所述第一漏极形成所述第一薄膜晶体管；所述第一源极或所述第一漏极电连接于所述第一电极的平展部；

所述第二栅极、所述第二有源部分、所述第二源极和所述第二漏极形成第二薄膜晶体管；所述第二源极或所述第二漏极电连接于所述像素电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管结构层还包括设置在所述基板和所述缓冲层之间的遮光层，所述遮光层与所述第一有源部分重叠设置，且与所述感光器件也重叠设置。

9.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶和如权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。