[发明专利]封装层的制备方法、显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110320744.1 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113193156A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 胡乃修;张明 申请(专利权)人: 合肥维信诺科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 广东君龙律师事务所 44470 代理人: 丁建春
地址: 230001 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 封装 制备 方法 显示 面板 及其
【说明书】:

本申请公开了一种封装层的制备方法、显示面板及其制备方法,所述封装层的制备方法首先形成整面覆盖衬底的第一无机封装层;再形成第一有机封装层,其中第一有机封装层覆盖发光层以及发光层上的第一无机封装层,且暴露出发光层外围的第一无机封装层;再在第一有机封装层背离衬底一侧形成第二无机封装层,其中第二无机封装层覆盖第一有机封装层,且暴露出发光层外围的第一无机封装层;然后以第二无机封装层为刻蚀掩膜,去除发光层外围的第一无机封装层,以暴露出衬底,用于后续的切割。本申请能够优化封装层的制备流程,以及降低后续切割衬底过程中产生由切割区域延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径的几率,提高封装层的封装效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种封装层的制备方法、显示面板及其制备方法。

背景技术

在OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板中,为了防止有机发光材料被水氧入侵而失效,需要制备封装层对发光层进行封装。现有技术中最常用的封装方式为TFE(Thin Film Encapsulation,薄膜封装),结构为包括无机封装层和有机封装层的叠层结构。其中沉积形成无机封装层的过程需使用掩膜板,以暴露出显示面板中衬底上的切割位置,但是使用掩膜板沉积无机封装层一方面会带入颗粒等污染物,另一方面掩膜板下方存在成膜阴影区域,可控性较差,导致成膜阴影区域可能形成质量很差的无机封装层,后续切割衬底过程中可能形成由成膜阴影区延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径,提高了发光层中的发光材料因水氧入侵而失效的几率,降低了封装层的封装效果。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种封装层的制备方法、显示面板及其制备方法,能够提高封装层的封装效果。

为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种封装层的制备方法,包括:

在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层;其中,所述第一无机封装层覆盖所述衬底,所述第一有机封装层覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层,且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层;

在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧形成第二无机封装层;其中,所述第二无机封装层覆盖所述第一有机封装层,且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层;

以所述第二无机封装层为刻蚀掩膜,去除所述发光层外围的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底。

其中,所述以所述第二无机封装层为掩膜板,刻蚀去除所述发光层外围的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底的步骤,包括:

以预设气体为刻蚀气氛,采用干法刻蚀技术去除未被所述第二无机封装层覆盖的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底。

其中,以所述预设气体为刻蚀气氛进行干法刻蚀时,所述第一无机封装层与所述第二无机封装层的刻蚀速率之比为1.5:1-3:1。

其中,所述第一无机封装层包括氧化铝、氧化钛中至少一种,所述第二无机封装层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中至少一种,所述预设气体包括三氯化硼。

其中,所述在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层的步骤,包括:

采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层;

采用喷墨印刷技术在所述第一无机封装层背离所述发光层一侧的预设区域形成所述第一有机封装层,所述预设区域覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层。

其中,所述第一无机封装层和所述第一有机封装层为交替设置的至少两组。

其中,所述采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层的步骤,包括:

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