[发明专利]封装层的制备方法、显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110320744.1 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113193156A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 胡乃修;张明 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 230001 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制备 方法 显示 面板 及其 | ||
1.一种封装层的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层;其中,所述第一无机封装层覆盖所述衬底,所述第一有机封装层覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层,且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层;
在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧形成第二无机封装层;其中,所述第二无机封装层覆盖所述第一有机封装层,且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层;
以所述第二无机封装层为刻蚀掩膜,去除所述发光层外围的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述以所述第二无机封装层为掩膜板,刻蚀去除所述发光层外围的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底的步骤,包括:
以预设气体为刻蚀气氛,采用干法刻蚀技术去除未被所述第二无机封装层覆盖的所述第一无机封装层,以暴露出所述衬底。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,以所述预设气体为刻蚀气氛进行干法刻蚀时,所述第一无机封装层与所述第二无机封装层的刻蚀速率之比为1.5:1-3:1。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述第一无机封装层包括氧化铝、氧化钛中至少一种,所述第二无机封装层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中至少一种,所述预设气体包括三氯化硼。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层的步骤,包括:
采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层;
采用喷墨印刷技术在所述第一无机封装层背离所述发光层一侧的预设区域形成所述第一有机封装层,所述预设区域覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述第一无机封装层和所述第一有机封装层为交替设置的至少两组。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层的步骤,包括:
采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧依次整面沉积多个第一无机封装子层,以形成所述第一无机封装层;其中,所述第一无机封装子层的厚度为0.5nm-5nm,数量为15-50。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧形成第二无机封装层的步骤,包括:
在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧设置掩膜板,所述掩膜暴露出所述第一有机封装层,且覆盖所述发光层外围的所述第一无机封装层;
采用化学气相沉积技术在所述掩膜板背离所述衬底一侧整面沉积所述第二无机封装层;
移除所述掩膜板。
9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
根据如权利要求1-8任一项所述的封装层的制备方法,在所述衬底设置有所述发光层的一侧制备封装层;
从所述封装层暴露出的所述衬底位置处切割所述衬底,以获得所述显示面板。
10.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
发光层,设置于所述衬底的一侧;
封装层,包括层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层,其中所述第一无机封装层由原子层沉积技术沉积形成,所述第二无机封装层由化学气相沉积技术沉积形成,所述第二无机封装层进一步用于作为所述第一无机封装层的刻蚀掩膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择