[发明专利]采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法

说明书

本发明提供一种采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法，采样开关包括：衬底；栅极，形成于衬底的上表面；源极，形成于衬底内，位于栅极的一侧；漏极，形成于衬底内，位于栅极相对于源极的另一侧；沟道区域，形成于正对栅极的衬底内，位于源极和漏极之间；梯度掺杂注入层，形成于源极上，由源极的远离栅极的边界延伸至沟道区域上；阈值调整注入层，形成于梯度掺杂注入层的上表面，从源极远离栅极的边界延伸至漏极远离栅极的边界。通过对采样开关进行两次离子注入分别形成梯度掺杂注入层和阈值调整注入层，使采样开关形成梯度掺杂的沟道区域，有效抑制了沟道电荷向源极侧的泄露。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法。

背景技术

开关电容采样电路广泛应用于离散时间系统，是滤波器、比较器、ADC(Analog-to-Digital Converter，模数转换器)、DAC(Digital to analog converter，数模转换器)等高级电路的基础结构，具有广泛的应用基础。目前的数据采样系统中，电荷注入问题不断的限制速度和精度的折衷性能，虽然衍生出多种电路消除技术，但每种技术又会导致其他折衷问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法，以期至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

作为本发明的一个方面，提供一种采样开关，包括，

衬底；

栅极，形成于所述衬底的上表面；

源极，形成于所述衬底内，位于所述栅极的一侧；

漏极，形成于所述衬底内，位于所述栅极相对于所述源极的另一侧；

沟道区域，形成于正对所述栅极的所述衬底内，位于所述源极和所述漏极之间；

梯度掺杂注入层，形成于所述源极上，由所述源极的远离所述栅极的边界延伸至所述沟道区域上；

阈值调整注入层，形成于所述梯度掺杂注入层的上表面，从所述源极远离所述栅极的边界延伸至所述漏极远离所述栅极的边界。

还包括：

源极浅槽隔离区，形成于所述衬底内，与所述源极间隔设置；

漏极浅槽隔离区，形成于所述衬底内，与所述漏极毗邻。

所述梯度掺杂注入层从所述源极靠近所述栅极一侧的边界延伸至所述沟道区域的长度为所述沟道区域长度的5％至95％。

所述梯度掺杂注入层包括通过离子注入方式注入的P型掺杂；

其中，所述P型掺杂包括以下至少之一：硼、二氟化硼；

所述阈值调整注入层包括通过离子注入方式注入的P型掺杂；

其中，所述P型掺杂包括以下至少之一：硼、二氟化硼。

所述源极包括通过离子注入方式注入的N型掺杂；

其中，所述N型掺杂包括以下至少之一：砷、磷；

所述漏极包括通过离子注入方式注入的N型掺杂；

其中，所述N型掺杂包括以下至少之一：砷、磷。