[发明专利]显示面板的制造方法、显示面板以及待切割显示面板有效
申请号: | 202110304206.3 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113066803B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 王海涛;王明;成军;周斌;汪军;黄勇潮;苏同上;王庆贺 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 以及 切割 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一静电保护电路以及源漏导电图案,所述衬底基板具有目标切割区域,所述目标切割区域与所述第一静电保护电路在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,所述目标切割区域与所述源漏导电图案在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域;
去除位于所述目标切割区域中的源漏导电图案;
在所述衬底基板上形成上层结构,以形成待切割显示面板;
在所述目标切割区域对所述待切割显示面板进行切割;
所述衬底基板具有显示区域以及位于显示区域外围的外围区域,所述去除位于目标切割区域中的源漏导电图案,包括:
去除所述源漏导电图案位于第一交叠区域中的图案,所述第一交叠区域为所述显示区域与所述目标切割区域的交叠区域;
通过激光去除所述源漏导电图案位于第二交叠区域中的图案,所述第二交叠区域为所述外围区域与所述目标切割区域的交叠区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述源漏导电图案中位于第一交叠区域中的源漏导电图案,包括:
通过一次构图工艺去除所述源漏导电图案中位于所述第一交叠区域中的图案。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺去除所述源漏导电图案中位于所述第一交叠区域中的源漏导电图案,包括:
在形成有所述源漏导电图案的衬底基板上形成光刻胶层;
以像素电极掩膜板作为掩膜,对所述第一交叠区域进行曝光以及显影,得到第一光刻胶图案,所述第一光刻胶图案在所述第一交叠区域具有开口;
以所述第一光刻胶图案作为保护层,对所述源漏导电图案进行刻蚀,以去除所述源漏导电图案中位于所述第一交叠区域中的图案;
剥离所述第一光刻胶图案。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述源漏导电图案包括沿第一方向排布的多条数据线,所述目标切割区域与所述多条数据线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,所述第一静电保护电路位于所述多条数据线在所述第一方向上的两侧,
所述去除位于目标切割区域中的源漏导电图案,包括:
通过一次构图工艺去除所述多条数据线中的第一数据线位于所述目标切割区域中的部分,所述第一数据线为所述多条数据线中与所述第一静电保护电路的最小距离大于指定值的数据线;
通过激光去除所述多条数据线中除所述第一数据线外的其它数据线位于所述目标切割区域中的部分。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述源漏导电图案包括多条数据线,且目标切割区域与所述多条数据线在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域,
所述去除所述源漏导电图案中位于第一交叠区域中的源漏导电图案,包括:
去除所述源漏导电图案中位于第一交叠区域中的数据线。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去除位于目标切割区域中的源漏导电图案之前,所述方法还包括:
对所述衬底基板进行测试,得到测试数据;
基于所述测试数据,对所述衬底基板进行修复。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成第一静电保护电路以及源漏导电图案之前,所述方法还包括:
在衬底基板上形成第二静电保护电路;
所述在衬底基板上形成第一静电保护电路以及源漏导电图案,包括:
在形成有所述第二静电保护电路的衬底基板上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第一过孔,所述第二静电保护电路具有在所述第一过孔处露出的区域;
在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成源漏导电膜层;
通过构图工艺将所述源漏导电膜层处理为所述第一静电保护电路以及所述源漏导电图案,所述第一静电保护电路通过所述第一过孔与所述第二静电保护电路电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的