[发明专利]形成互连结构的方法在审
申请号: | 202110302605.6 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN113658906A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 苏怡年;陈育裕 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 互连 结构 方法 | ||
1.一种形成互连结构的方法,其特征在于,该方法包含:
形成一互连介电层配置于一基材上;
沉积多个硬罩幕层于该互连介电层上;
沉积一第一图案化层于所述多个硬罩幕层上;
形成一第一罩幕结构于该第一图案化层上,其中透过一第一极紫外线微影制程于该第一罩幕结构中形成多个开口;
依照该第一罩幕结构,移除该第一图案化层的多个部分;
形成一第二罩幕结构于经图案化的该第一图案化层中;
依照该第二罩幕结构,图案化所述多个硬罩幕层的一最上方的硬罩幕层;
形成一第三罩幕结构于所述多个硬罩幕层中的该最上方的硬罩幕层上,其中透过一第二极紫外线微影制程于该第三罩幕结构中形成多个开口;
进行多个移除制程,以图案化所述多个硬罩幕层,且于该互连介电层中形成多个开口;以及
形成多个互连导线于该互连介电层的所述多个开口中,
其中一第一互连导线沿一第一方向而从该互连介电层的一上表面朝该基材延伸,以接触一互连介层窗,
其中该第一互连导线的多个第一最外侧壁彼此平行且与垂直于该第一方向的一第二方向正交,
其中该第一互连导线的多个第二最外侧壁彼此平行且与垂直于该第一方向与该第二方向的一第三方向正交,且
其中多个圆角将所述多个第一最外侧壁耦合至所述多个第二最外侧壁。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
其中一第二互连导线配置于该互连介电层中,且在该第二方向上与该第一互连导线间隔一第一距离,且
其中一第三互连导线配置于该互连介电层中,且在该第三方向上与该第一互连导线间隔一第二距离。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,该第一距离小于该第二距离。
4.一种形成互连结构的方法,其特征在于,该方法包含:
形成一互连介电层配置于一基材上;
沉积多个硬罩幕层于该互连介电层上;
沉积一第一图案化层于所述多个硬罩幕层上;
透过一第一极紫外线微影制程,形成一第一罩幕结构于该第一图案化层上;
依照该第一罩幕结构,移除该第一图案化层的多个部分;
形成一第二罩幕结构于经图案化的该第一图案化层内;
依照该第二罩幕结构,图案化所述多个硬罩幕层中的一最上方的硬罩幕层;
形成一第二图案化层于所述多个硬罩幕层中的该最上方的硬罩幕层上;
透过一第二极紫外线微影制程,形成一第三罩幕结构于该第二图案化层上;
依照该第三罩幕结构与所述多个硬罩幕层中的该最上方的硬罩幕层,移除该第二图案化层与所述多个硬罩幕层的多个部分,以在该互连介电层中形成多个开口;以及
形成多个互连导线于该互连介电层的所述多个开口中,
其中一第一互连导线与一第二互连导线沿一第一方向延伸穿过该互连介电层,
其中该第一互连导线的多个第一最外侧壁在垂直于该第一方向的一第二方向上彼此间隔一第一距离,
其中该第一互连导线的多个第二最外侧壁在垂直于该第一方向与该第二方向的一第三方向上彼此间隔一第二距离,
其中该第一距离大于该第二距离,且
其中该第一互连导线在该第二方向上与该第二互连导线间隔一第三距离,该第三距离小于或等于该第二距离。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,该第三距离小于或等于12纳米。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,该第一互连导线的所述多个第一最外侧壁透过多个圆角侧壁耦合至该第一互连导线的所述多个第二最外侧壁。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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