[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法

说明书

本发明公开了一种显示面板及显示面板的制备方法，所述显示面板包括：基板层；遮光层，设置于所述基板层上；功函调控层，设置于所述遮光层上；缓冲层，设置于所述基板层上且包覆所述功函调控层；薄膜晶体管阵列层，设置于所述缓冲层上；其中，所述遮光层的功函数小于所述功函调控层的功函数。相较于现有的显示面板及显示面板的制备方法，本发明通过在遮光层上新增设置功函调控层，使得所述遮光层的功函数小于所述功函调控层的功函数，所述功函调控层与薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差大于所述遮光层与所述薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差，对阈值电压进行补偿，调正所述阈值电压，防止所述阈值电压偏移程度过大。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器与传统的液晶显示器的显示方式不同，OLED显示器无需背光，具有对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广等优点，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

在制作大尺寸氧化物OLED显示基板时，顶栅(Top-gate)结构的氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT，Oxide Thin Film Transistor)技术对电压应力、温度和光照比较敏感，严重影响特性。具体地，薄膜晶体管通常受到以下两种较常见的应力：正偏压温度应力(Positive bias temperature stress，PBTS)和负偏压温度光照应力(Negative biastemperature illumination stress，NBTIS)，一般情况下，薄膜晶体管在PBTS的作用下向正向漂移，在NBTIS的作用下向负向漂移，这样，当薄膜晶体管在PBTS和NBTIS共同作用下，可保证薄膜晶体管的阈值电压(Vth)在长时间的信赖性评价，即在长期使用过程中，阈值电压正负向漂移中和后，阈值电压可保持稳定。

但是，在实际生产过程中，大尺寸氧化物OLED显示基板在进行信赖性评价的时候，不同区域的Vth变化不一致。对于有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，AMOLED)产品来说，发光层比较靠近薄膜晶体管阵列，因此，半导体氧化物薄膜晶体管由于光照和NBTIS将导致阈值电压Vth负偏。

综上所述，现有技术中显示面板存在对光照比较敏感，光照容易导致阈值电压向负向偏移的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，用于解决现有技术中显示面板存在对光照比较敏感，光照容易导致阈值电压向负向偏移的技术问题。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示面板，包括：

基板层；

遮光层，设置于所述基板层上；

功函调控层，设置于所述遮光层上；

缓冲层，设置于所述基板层上且包覆所述功函调控层；

薄膜晶体管阵列层，设置于所述缓冲层上；

其中，所述遮光层的功函数小于所述功函调控层的功函数。

在本发明的一些实施例中，所述功函调控层的材料与所述遮光层的材料相同，所述遮光层的材料包括钼、钽、钛、金、铝和铜中一种或多种。

在本发明的一些实施例中，所述功函调控层的功函在4eV～5eV的范围内。

在本发明的一些实施例中，所述功函调控层中氧原子的占比大于所述遮光层中氧原子的占比，所述功函调控层的厚度为1nm～5nm。