[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板层；

遮光层，设置于所述基板层上；

功函调控层，设置于所述遮光层上；

缓冲层，设置于所述基板层上且包覆所述功函调控层；

薄膜晶体管阵列层，设置于所述缓冲层上；

其中，所述遮光层的功函数小于所述功函调控层的功函数；所述功函调控层与所述薄膜晶体管阵列层电连接；所述遮光层与所述薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差为第一功函数，所述功函调控层与所述薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差为第二功函数，所述第二功函数大于所述第一功函数。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层的材料包括钼、钽、钛、金、铝和铜中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功函调控层的功函数在4eV～5eV的范围内。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功函调控层中氧原子的占比大于所述遮光层中氧原子的占比，所述功函调控层的厚度为1nm～5nm。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括钝化层、平坦层和像素电极，所述钝化层和所述平坦层依次层叠于所述薄膜晶体管阵列层上且所述钝化层和所述平坦层中设有第一开孔，所述像素电极设置于所述平坦层上且通过所述第一开孔与所述薄膜晶体管阵列层电性连接。

6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板层上制备图案化的遮光层；

在所述遮光层上制备功函调控层；

在所述基板层和所述功函调控层表面制备缓冲层；

在所述缓冲层上制备薄膜晶体管阵列层；

其中，所述遮光层的功函数小于所述功函调控层的功函数；所述功函调控层与所述薄膜晶体管阵列层电连接；所述遮光层与所述薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差为第一功函数，所述功函调控层与所述薄膜晶体管阵列层之间的功函数之差为第二功函数，所述第二功函数大于所述第一功函数。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在制备所述功函调控层的步骤中包括：采用等离子气体对所述遮光层进行表面处理，形成所述功函调控层；其中，所述功函调控层中氧原子的占比大于所述遮光层中氧原子的占比，所述功函调控层的功函在4eV～5eV的范围内。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子气体包括氧气和氧化亚氮中的一者或两者，当所述等离子气体包括氧气和氧化亚氮时，所述氧气与所述氧化亚氮的流量比例为1/3～1。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述等离子气体的密度为10⁸cm^-3～10¹³cm^-3，所述等离子气体的压强为40mtorr～100mtorr，所述等离子气体的功率为2000W～8000W。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述表面处理的反应条件包括：初始真空度小于10^-4Pa，温度为10℃～60℃，湿度为0％。