[发明专利]提升装置及半导体工艺设备

说明书

本申请公开了一种提升装置及半导体工艺设备，涉及半导体制造领域。该提升装置为半导体工艺设备中基座的提升装置，用于驱动基座在工艺腔室内升降，包括提升机构和平移机构；平移机构包括层叠设置的支撑部、第一滑板、第二滑板和安装板，调节组件连接支撑板和安装板，安装板固定于工艺腔室，第一滑板沿第一方向滑动连接于支撑板，第二滑板沿第二方向滑动连接于第一滑板，第二滑板上设有沿第三方向延伸的滑套；提升机构包括升降轴，升降轴可滑动地设置于滑套中。上述半导体工艺设备，包括上述提升装置。本申请实施例至少能够缓解基片位置偏差的问题。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种提升装置及半导体工艺设备。

背景技术

磁控溅射或溅射(Sputtering)沉积技术是物理气象沉积(Physical VaporDeposition，PVD)的一种，是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。通常情况下，上述薄膜制备工艺采用磁控溅射设备。然而，相关技术中的磁控溅射设备在升降基片的过程中，基片容易出现位置偏差，影响基片的同心度，从而影响制备工艺的精度。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种提升装置及半导体工艺设备，至少能够缓解基片位置偏差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备中基座的提升装置，用于驱动基座在所述半导体工艺设备的工艺腔室内升降，所述提升装置包括：提升机构和平移机构；

所述平移机构包括依次层叠设置的支撑板、第一滑板、第二滑板和安装板，以及调节组件，所述支撑板通过所述调节组件与所述安装板连接，所述安装板固定连接于所述工艺腔室，所述第一滑板沿第一方向可滑动地连接于所述支撑板，所述第二滑板沿第二方向可滑动地连接于所述第一滑板，所述第二滑板上设有沿第三方向延伸的滑套；

所述提升机构包括与所述基座连接的升降轴，所述升降轴可滑动地设置于所述滑套中；

所述第一方向、所述第二方向及所述第三方向两两垂直，所述第三方向为所述提升装置的升降方向。

本申请实施例还公开一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括：工艺腔室、用于承载基片的基座，以及提升装置；

所述基座设置于所述工艺腔室内部，所述升降轴自下到上穿入所述工艺腔室，并与所述基座连接。

本申请实施例中，升降轴与基座连接，且升降轴轴可以在滑套中沿第三方向移动，以调节位于基座上的基片在第三方向上的位置；滑套设置于第二滑板，第二滑板可沿第二方向相对于第一滑板移动，从而可以依次通过第二滑板、滑套以及升降轴调节基座在第二方向上的位置；第一滑板可沿第一方向相对于支撑板移动，从而可以依次通过第一滑板、第二滑板、滑套以及升降轴调节基座在第一方向上的位置。基于上述设置，本申请实施例中的提升装置可以在第一方向和第二方向分别调节升降轴以及基座在水平面上的位移，从而可以保证半导体工艺设备-磁控溅射设备在升降基片过程中，基片不易出现位置偏差，进而保证了基片的同心度，大大提升了制备工艺精度。

附图说明

图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的局部示意图；

图2为本申请实施例公开的工艺腔室、平移机构以及升降轴装配示意图；

图3为本申请实施例公开的平移机构的拆解示意图；

图4为本申请实施例公开的平移机构的仰视图；

图5为本申请实施例公开的平移机构中第一驱动组件的示意图；

图6为本申请实施例公开的第一驱动组件的第一视角的局部放大图；

图7为本申请实施例公开的第一驱动组件的第二视角的局部放大图；