[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板在审
申请号: | 202110294643.1 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113113355A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 李传会 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成阵列功能层;
在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层;
在所述第一源漏极金属层上形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层;
在所述第二源漏极金属层上形成第二平坦化层;
采用一次构图工艺,在所述第二平坦化层上形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述采用一次构图工艺形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔包括:
提供第一掩膜板;
将所述第一掩膜板设于所述第二平坦化层的上方;
对所述第二平坦化层进行曝光;
对曝光后的所述第二平坦化层进行显影,形成所述第一过孔和所述第二过孔;
对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化之后还包括:
对固化后的所述第一过孔和所述第二过孔进行灰化。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一掩膜板包括第一透光区、第二透光区以及不透光区,所述第一透光区的光通量大于所述第二透光区的光通量,所述不透光区的光通量为零,所述第一过孔与所述第二透光区相对应,所述第二过孔与所述第一透光区相对应。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一透光区的光通量与所述第二透光区的光通量的比值为2。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一透光区的光通量为100%,所述第二透光区的光通量为50%。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述阵列功能层包括依次层叠设置的缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层;
所述在所述衬底基板上形成阵列功能层包括:在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层之后还包括:
提供第二掩膜板,所述第二掩膜板包括第一光通区、第二光通区以及不通光区,所述第一光通区的光通量大于所述第二光通区的光通量,所述不通光区的光通量为零;
将所述第二掩膜板设于所述层间介质层的上方;
将光线通过所述第二掩膜板照射所述层间介质层,对所述层间介质层进行曝光;
对曝光后的所述层间介质层进行显影,形成暴露所述有源层的第三过孔和暴露所述第二栅极层的第四过孔,所述第三过孔与所述第二光通区相对应,所述第四过孔与所述第一光通区相对应;
对所述第三过孔和所述第四过孔进行固化;
其中,所述第一源漏极金属层通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述有源层和所述第二栅极层连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层包括:
在所述阵列功能层上形成第一金属层;
采用第三掩膜板将所述第一金属层进行图案化,形成第一源漏极金属层;
所述在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层包括:
在所述第一平坦化层上形成第二金属层;
采用第四掩膜板将所述第二金属层进行图案化,形成第二源漏极金属层。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制备方法制备形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造