[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法。提高每个衬底的处理均匀性和吞吐量。包括：(a)向处理容器内搬入衬底的工序；(b)经由气体供给部向所述衬底供给通过在设于第1气体供给管线的第1加热部经过而被加热的第1气体，对所述衬底进行加热的工序；(c)经由所述气体供给部向在所述处理容器内的衬底载置部上载置的所述衬底供给第2气体的工序，所述第2气体是流经不同于所述第1气体供给管线的第2气体供给管线的气体；(d)在(b)与(c)之间，对所述气体供给部供给温度比所述第1气体低的第3气体，使所述气体供给部的温度降低的工序。

技术领域

本公开内容涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法。

背景技术

使用对衬底逐个处理的单片式装置，作为半导体器件的制造工序的一工序而有时进行对衬底供给气体、在衬底上形成膜的工序(例如参照专利文献1)。

[专利文献1]日本特开2017-183575号公报

发明内容

本公开内容的目的在于提高每个衬底的处理均匀性和吞吐量。

根据本公开内容的一方案，提供如下技术，包括：

(a)向处理容器内搬入衬底的工序；

(b)经由气体供给部向所述衬底供给通过在设于第1气体供给管线的第1加热部经过而被加热的第1气体，对所述衬底进行加热的工序；

(c)经由所述气体供给部向在所述处理容器内的衬底载置部上载置的所述衬底供给第2气体的工序，所述第2气体是流经不同于所述第1气体供给管线的第2气体供给管线的气体；

(d)在(b)与(c)之间，对所述气体供给部供给温度比所述第1气体低的第3气体，使所述气体供给部的温度降低的工序。

根据本公开内容，能够提高每个衬底的处理均匀性和吞吐量。

附图说明

图1是在本公开内容的一方式中优选使用的衬底处理装置的概略构成图，是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2是在本公开内容的一方式中优选使用的衬底处理装置的控制器280的概略构成图，是用框图表示控制器280的控制系统的图。

图3是在本公开内容的变形例1中优选使用的衬底处理装置的要部的概略构成图。

图4是在本公开内容的其他方式中优选使用的衬底处理装置的要部的概略构成图。

图5是在本公开内容的其他方式中优选使用的衬底处理装置的要部的概略构成图。

附图标记的说明

280 控制器(控制部)

200 晶片(衬底)

202 处理容器

212 衬底载置台

213、248e、259e 加热器

234 气体供给部

248 第1气体供给系统

243、244 第2气体供给系统

具体实施方式

＜本公开内容的一方式＞

以下，主要参照图1说明本公开内容的一方式。需要说明的是，在以下的说明中所用的附图均是示意图，关于附图上的各要素的尺寸关系、各要素的比率等，未必与实际情况一致。此外，多个附图相互之间的各要素的尺寸关系、各要素的比率等也未必一致。

(1)衬底处理装置的构成