[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，包括：

(a)向处理容器内搬入衬底的工序；

(b)经由气体供给部向所述衬底供给通过在设于第1气体供给管线的第1加热部经过而被加热的第1气体，对所述衬底进行加热的工序；

(c)经由所述气体供给部向在所述处理容器内的衬底载置部上载置的所述衬底供给第2气体的工序，所述第2气体是流经不同于所述第1气体供给管线的第2气体供给管线的气体；

(d)在(b)与(c)之间，对所述气体供给部供给温度比所述第1气体低的第3气体，使所述气体供给部的温度降低的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(b)中，将所述衬底不载置于所述衬底载置部上而是以浮起的状态保持，通过设于所述衬底载置部的第2加热部从背面侧对所述衬底进行加热。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有如下工序：

(e)在(c)之前，将所述衬底以载置于所述衬底载置部上的状态保持，通过来自被所述第2加热部加热的所述衬底载置部的热传导而从背面侧对所述衬底进行加热。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(b)中，通过设于所述衬底载置部的第2加热部，对所述气体供给部进行加热。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有如下工序：

(f)在(a)之前，通过设于所述衬底载置部的第2加热部对所述气体供给部进行加热。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，

使(f)中的所述气体供给部与所述衬底载置部的距离相比于(c)中的所述气体供给部与所述衬底载置部的距离更接近。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(d)中，从不同于所述第1气体供给管线的第3气体供给管线向所述气体供给部供给所述第3气体。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(d)中，从不同于所述第1气体供给管线的第3气体供给管线经由所述第1气体供给管线向所述气体供给部供给所述第3气体。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(d)中，从不同于所述第1气体供给管线的第3气体供给管线不经由所述第1气体供给管线地向所述气体供给部供给所述第3气体。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(d)中，维持在(b)中设定为规定温度的所述第1加热部的温度状态。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(b)中，将供给到设于所述气体供给部的缓冲空间内的所述第1气体经由所述缓冲空间向所述衬底供给，

在(d)中，将供给到所述缓冲空间内的所述第3气体不向所述衬底供给而从设于所述气体供给部的排气部排气。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在(b)中，经由设于所述气体供给部、且与所述第1气体供给管线连通的第1气体供给口向所述衬底供给所述第1气体，

在(c)中，经由设于所述气体供给部、且与所述第2气体供给管线连通的第2气体供给口向所述衬底供给所述第2气体。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有如下工序：

(g)在(a)与(b)之间，在设于所述处理容器内的移载室内收容有所述衬底的状态下，向所述衬底供给通过在设于第4气体供给管线的第4加热部经过而被加热的第4气体，对所述衬底进行加热。