[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110287750.1 申请日: 2021-03-17
公开(公告)号: CN112992461B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 牟维国;黄佳莹 申请(专利权)人: 福建省长汀金龙稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;邹玲
地址: 366300 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁体 及其 制备 方法
【说明书】:

本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,R为稀土元素;Nb:0.02~0.14wt.%;Cu:0.2~0.48wt.%;Ti+Nb:≤0.24wt.%;Al+Cu:≤0.50wt.%;B:≥0.955wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比。本发明中的R‑T‑B磁体的剩磁、矫顽力、高温稳定性和方形度均在较佳的水平。

技术领域

本发明涉及一种R-T-B磁体及其制备方法。

背景技术

钕铁硼磁体材料目前已广泛应用于电子、电力机械、医疗器具等领域。近年来,对钕铁硼磁体材料磁性能的提升成为目前的研究热点。

例如中国专利文献CN108831650A公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法,通过在钕铁硼材料中复合添加钛、锆、铌、镓各0.05~0.5%,采用少量多种的添加原则,降低材料中重稀土元素的用量,同时可统一各牌号二级时效温度、提高二级时效的普适性。这四种复合元素的添加,达到细化晶粒的同时提高晶界富稀土相流动性的目的,提高材料的各项性能指标尤其是内禀矫顽力及方形度,在降低重稀土用量的同时改善产品方形度,提高产品一致性和高温稳定性。例如该专利实施例5的配方中含有如下质量含量的组分PrNd30.3%、Dy 0%、B 0.97%、Co 0.5%、Cu 0.15%、Al 0.1%、Ti 0.08%、Nb 0.1%、Ga0.2%、Zr 0.05%,余量为Fe。采用气流磨制备为3.0μm的细粉,烧结温度为1040℃、一级时效温度为900℃、二级时效温度为520℃的制备工艺得到剩磁为14.4、Hcj为12.5、最大磁能积为50.82、方形度为97%的钕铁硼磁体材料。但该磁体材料的配方未进行进一步优化,得到的磁体材料的矫顽力在较低水平,且高温时的磁性能温度性也在较低水平,无法适用于更高要求的产品中。

寻求一种钕铁硼磁体的配方,使经制备后得到高矫顽力、高剩磁、矫顽力的高温度稳定性、高方形度的综合磁性能优异的磁体材料,是目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明为了解决现有技术中存在的钕铁硼磁体材料的配方得到的磁体的剩磁、矫顽力、高温稳定性和方形度无法同时达到较高水平的缺陷,而提供了一种R-T-B磁体及其制备方法。本发明中的R-T-B磁体中特定元素种类和特定含量之间的配合,能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度、高温稳定性也较佳的磁体材料。

本发明主要是通过以下技术方案解决以上技术问题的。

本发明提供了一种R-T-B磁体,其包括以下组分:R:≥30.0wt.%,R为稀土元素;

Nb:0.02~0.14wt.%;

Cu:0.2~0.48wt.%;

Ti+Nb:≤0.24wt.%;

Al+Cu:≤0.50wt.%;

B:≥0.955wt.%;

Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比。

本发明中,所述R的含量较佳地为30~33wt.%,例如30wt.%、30.3wt.%或30.8wt.%。

本发明中,所述R的种类可为本领域常规,一般包括Nd。

其中,所述Nd的含量较佳地为29~31wt.%,例如29wt.%、29.4wt.%、29.7wt.%、29.9wt.%、30wt.%、30.1wt.%或30.4wt.%,wt.%为占各组分总质量的百分比。

本发明中,所述R中一般还包括Pr和/或RH,所述的RH为重稀土元素。

其中,所述Pr的含量较佳地在0.3wt.%以下,wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比。

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