[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种R-T-B磁体，其特征在于，其包括以下组分：R：≥30.0wt.%，R为稀土元素；

Nb：0.02~0.14wt.%；

Cu：0.2~0.48wt.%；

Ti+Nb：≤0.24wt.%；

Al+Cu：≤0.50wt.%；

B：≥0.955wt.%；

Fe：58~69wt.%；wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比；

所述R-T-B磁体的二颗粒晶界相中Fe的含量与二颗粒晶界相中所有元素总含量的比为40~46wt.%；所述的R-T-B磁体包括Cu-Nb-Fe相，所述Cu-Nb-Fe相位于晶间三角区，所述Cu-Nb-Fe相的总面积与晶间三角区的总面积的比为1.3%~2%。

2.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R的含量为30~33wt.%；

和/或，所述R的种类还包括Nd；

和/或，所述R的种类还包括Pr和/或RH，所述RH为重稀土元素；

其中，所述RH的原子百分含量与所述R的原子百分含量的比值为0.1以下。

3.如权利要求2所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述R的含量为30wt.%、30.3wt.%或30.8wt.%；

和/或，所述Nd的含量为29~31wt.%，wt.%为占各组分总质量的百分比；

和/或，所述Pr的含量在0.3wt.%以下，wt.%为占各组分总质量的百分比；

和/或，所述RH的种类为Tb；

和/或，所述RH的含量在1.4wt.%以下，wt.%为占各组分总质量的百分比。

4.如权利要求3所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述Nd的含量为29wt.%、29.4wt.%、29.7wt.%、29.9wt.%、30wt.%、30.1wt.%或30.4wt.%；

和/或，所述RH的含量为0.2wt.%、0.4wt.%、0.6wt.%或1wt.%。

5.如权利要求1所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述“Ti+Nb”的含量为0.1~0.24wt.%；

和/或，所述Nb的含量为0.05~0.14wt.%；

和/或，所述Ti的含量在0.24wt.%以下且不为0wt.%，wt.%为占各组分总质量的百分比；

和/或，所述“Al+Cu”的含量在0.44wt.%以下且不为0wt.%；

和/或，所述Al的含量在0.08wt.%以下且不为0wt.%，wt.%为占各组分总质量的百分比；

和/或，所述Cu的含量为0.2~0.46wt.%。

6.如权利要求5所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述“Ti+Nb”的含量为0.1wt.%、0.2wt.%、0.23wt.%或0.24wt.%；

和/或，所述Nb的含量为0.05wt.%、0.09wt.%、0.1wt.%、0.12wt.%或0.14wt.%；

和/或，所述Ti的含量为0.05wt.%、0.09wt.%、0.11wt.%、0.14wt.%或0.15wt.%；

和/或，所述“Al+Cu”的含量为0.1~0.44wt.%；

和/或，所述Al的含量为0.02wt.%、0.03wt.%、0.04wt.%、0.05wt.%、0.06wt.%或0.08wt.%；

和/或，所述Cu的含量为0.2wt.%、0.3wt.%、0.39wt.%、0.4wt.%或0.46wt.%。

7.如权利要求6所述的R-T-B磁体，其特征在于，所述“Al+Cu”的含量为0.23wt.%、0.25wt.%、0.32wt.%、0.33wt.%、0.34wt.%、0.43wt.%或0.44wt.%。