[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置

说明书

一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，所述薄膜晶体管包括设置在基底上的有源层、栅电极、源电极、漏电极、载流子注入极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性。本公开实施例提供的薄膜晶体管，通过载流子注入区在沟道注入载流子，抑制器件退化，提高器件使用寿命。

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。

背景技术

在平板显示中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)电子迁移率高、低功耗、快速响应、可实现柔性显示等优点，已逐渐成为主流选择。而TFT性能的好坏会直接影响到显示的质量。在实际的使用过程中，栅电极电压的变化容易造成TFT热载流子退化，从而使TFT恶化。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，提高薄膜晶体管性能。

一方面，本公开实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设置在基底上的有源层、栅电极、源电极、漏电极和载流子注入极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性。

在一示例性实施例中，所述沟道区靠近所述栅电极一侧为第一侧，所述源极区设置在所述沟道区的第二侧，所述漏极区设置在所述沟道区的第三侧，所述载流子注入区设置在所述沟道区除所述第一侧、第二侧、第三侧之外的至少一侧。

在一示例性实施例中，所述载流子注入极与所述源电极、漏电极同层设置；或者，载流子注入极与所述源电极、漏电极不同层设置。

在一示例性实施例中，所述源极区为第一极性重掺杂，所述漏极区为第一极性重掺杂，所述载流子注入区为第二极性重掺杂。

在一示例性实施例中，所述栅电极连接第一电源端，所述载流子注入极连接第二电源端，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，第一电源端的电压处于下降沿时段时，所述第二电源端的电压为接地电压或者正电压；或者，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一电源端的电压处于上升沿时段时，所述第二电源端的电压为接地电压或者负电压。

又一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括如上述薄膜晶体管。

另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。

再一方面，本公开实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上形成有源层、栅电极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性；

形成源电极、漏电极和载流子注入极，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区。

在一示例性实施例中，在基底上形成有源层包括：

在基底上形成多晶硅图案；

对所述多晶硅图案进行第一极性掺杂，形成源极区和漏极区；

对所述多晶硅图案进行第二极性掺杂，形成载流子注入区。

在一示例性实施例中，所述形成源电极、漏电极和载流子注入极包括：