[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括设置在基底上的有源层、栅电极、源电极、漏电极和载流子注入极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区靠近所述栅电极一侧为第一侧，所述源极区设置在所述沟道区的第二侧，所述漏极区设置在所述沟道区的第三侧，所述载流子注入区设置在所述沟道区除所述第一侧、第二侧、第三侧之外的至少一侧。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述载流子注入极与所述源电极、漏电极同层设置；或者，所述载流子注入极与所述源电极、漏电极不同层设置。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极区为第一极性重掺杂，所述漏极区为第一极性重掺杂，所述载流子注入区为第二极性重掺杂。

5.根据权利要求1至4任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极连接第一电源端，所述载流子注入极连接第二电源端，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，第一电源端的电压处于下降沿时段时，所述第二电源端的电压为接地电压或者正电压；或者，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一电源端的电压处于上升沿时段时，所述第二电源端的电压为接地电压或者负电压。

6.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示基板。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成有源层和栅电极，所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和载流子注入区，所述载流子注入区与所述源极区、漏极区为不同极性；

形成源电极、漏电极和载流子注入极，所述源电极电连接到所述源极区，所述漏电极电连接到所述漏极区，所述载流子注入极电连接到所述载流子注入区。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成有源层包括：

在基底上形成多晶硅图案；

对所述多晶硅图案进行第一极性掺杂，形成所述源极区和所述漏极区；

对所述多晶硅图案进行第二极性掺杂，形成所述载流子注入区。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成源电极、漏电极和载流子注入极包括：

沉积金属薄膜，通过一次构图工艺形成所述源电极、所述漏电极和所述载流子注入极。