[发明专利]具有氮化硅缓冲层的显示设备及其制造方法

说明书

公开了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。该显示设备包括基底。第一缓冲层设置在基底之上。第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比。薄膜晶体管设置在第一缓冲层之上。薄膜晶体管包括有源层。显示元件电连接到薄膜晶体管。

本申请要求于2020年3月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0031314号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种具有氮化硅缓冲层的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。

背景技术

通常，显示设备包括用于显示图像的显示元件。显示设备有各种类型，并且可以用在各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置或智能电视)中。

显示设备通常通过使用与设置在其中的显示元件中的每个电连接的薄膜晶体管来控制每个显示元件的操作。

发明内容

根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底；第一缓冲层，设置在基底之上，第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比；薄膜晶体管，设置在第一缓冲层之上，薄膜晶体管包括有源层；以及显示元件，电连接到薄膜晶体管。

显示设备还可以包括设置在第一缓冲层与薄膜晶体管之间的第二缓冲层。

第二缓冲层可以包含氧化硅。

薄膜晶体管可以包括栅电极和有源层，并且有源层距第一缓冲层可以比栅电极距第一缓冲层近。

栅电极可以包含铝。

栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料。

栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含钛。

栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含氮化钛。

栅电极还可以包括设置在第二层上的第三层，第三层可以包含钛。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上形成第一缓冲层，第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比；在第一缓冲层之上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层；以及形成电连接到薄膜晶体管的显示元件。

该方法还可以包括在第一缓冲层上形成第二缓冲层。形成薄膜晶体管的步骤可以包括在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括有源层。

形成第二缓冲层的步骤可以包括形成氧化硅层。

形成薄膜晶体管的步骤可以包括形成有源层和在有源层之上形成栅电极。

形成栅电极的步骤可以包括使用包含铝的材料。

形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。

形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用包含钛的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。

形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用包含氮化钛的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。