[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年6月3日在韩国知识产权局提交的题为“SemiconductorDevice and Method of Fabricating the Same”的韩国专利申请No.10-2020-0067291的优先权，该专利申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中具有重要作用。随着电子工业的显著发展，半导体器件已经高度集成。

发明内容

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：多个导电柱，所述多个导电柱在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案部分地接触所述导电柱的侧表面并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的其他侧表面的多个第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的暴露的表面并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的暴露的表面不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：器件隔离图案，所述器件隔离图案在衬底上并且限定有源部分；字线，所述字线在所述衬底中并且跨所述有源部分；第一杂质区，所述第一杂质区在所述字线的一侧的有源部分中；第二杂质区，所述第二杂质区在所述字线的另一侧的有源部分中；位线，所述位线连接到所述第一杂质区并且跨所述衬底；底电极接触部，所述底电极接触部连接到所述第二杂质区；导电柱，所述导电柱在所述底电极接触部上；支撑图案，所述支撑图案与所述导电柱的侧表面接触；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的暴露的表面并且暴露所述支撑图案，所述暴露的表面不与所述支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：多个导电柱，所述多个导电柱在半导体衬底上；支撑图案，所述支撑图案部分地接触所述导电柱的侧表面并且将所述导电柱相互连接，所述支撑图案包括暴露所述导电柱的其他侧表面的多个支撑孔；以及封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的暴露的表面并且暴露所述支撑图案，所述暴露的表面不与所述支撑图案接触。所述封盖导电图案可以在其与所述支撑图案接触所述导电柱的区域相邻的部分处具有一定的厚度，其中，所述厚度随着向所述支撑图案的靠近而减小。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：模制层，所述模制层在衬底上；导电柱，所述导电柱穿透所述模制层并且邻接所述衬底，所述导电柱具有中空杯形状；封盖导电图案，所述封盖导电图案不接触所述模制层，并且接触所述导电柱的顶表面、内侧表面和内底表面；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述封盖导电图案和所述模制层，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

根据一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：多个层间绝缘层，所述多个层间绝缘层交替地设置在衬底上；第一导电图案，所述第一导电图案在层间绝缘层之间，所述第一导电图案具有中空圆柱形状；封盖导电图案，所述封盖导电图案覆盖所述第一导电图案的内表面和侧表面并且不接触所述层间绝缘层；以及电介质层，所述电介质层与所述封盖导电图案和所述层间绝缘层接触，所述电介质层与所述第一导电图案间隔开。