[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

导电柱，所述导电柱在半导体衬底上；

第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的所述侧表面的第二部分的第一支撑孔；

封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的所述侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的所述侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及

电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封盖导电图案包括第一金属，并且所述导电柱中的每一个包括与所述第一金属不同的第二金属。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电柱包括第一材料，并且所述封盖导电图案包括第二材料，所述第二材料的功函数大于所述第一材料的功函数。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封盖导电图案具有约至约的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：蚀刻停止层，所述蚀刻停止层接触所述导电柱的所述侧表面的下部并且覆盖所述半导体衬底，所述封盖导电图案暴露所述蚀刻停止层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电柱中的每一个具有中空杯形状，并且所述封盖导电图案延伸以接触所述导电柱的内表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述导电柱中的每一个包括下柱和所述下柱上的上柱，所述上柱部分地暴露所述下柱的顶表面，并且

所述封盖导电图案接触所述下柱的侧表面、所述上柱的侧表面、所述下柱的暴露的顶表面和所述上柱的顶表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二支撑图案，所述第二支撑图案在所述第一支撑图案上，并且与所述导电柱的所述侧表面部分接触，

其中，所述第二支撑图案与所述第一支撑图案间隔开，

其中，所述第二支撑图案包括与所述第一支撑孔重叠的多个第二支撑孔，并且

其中，所述封盖导电图案不覆盖所述第二支撑图案，而是暴露所述第二支撑图案。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电柱中的每一个的电阻率小于所述封盖导电图案的电阻率。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一支撑图案与所述导电柱中的一个导电柱之间的附着力小于所述第一支撑图案与所述封盖导电图案之间的附着力。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封盖导电图案的边缘的厚度随着与所述第一支撑图案的距离的减小而减小。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质层接触所述封盖导电图案和所述第一支撑图案。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封盖导电图案的顶表面高于所述第一支撑图案的顶表面，所述封盖导电图案的顶表面与所述导电柱的顶表面接触。