[发明专利]一种HfO2

权利要求书

1.一种HfO₂基铁电薄膜的沉积方法，其特征在于，包括：

在半导体载体表面形成一层羟基；

然后依次沉积铪的氮氧化物薄膜、其他元素的氮氧化物薄膜，或者沉积依次其他元素的氮氧化物薄膜、铪的氮氧化物薄膜；

沉积顶电极；

退火；

其中，所述铪的氮氧化物薄膜由铪前驱体与NH₃ 、氧化剂反应生成；

所述其他元素的氮氧化物薄膜由其他元素的前驱体与NH₃ 、氧化剂反应生成，并且其他元素选自Al、Zr、La、Gd和Si中至少一种。

2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述铪的氮氧化物薄膜采用原子层沉积法形成。

3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述其他元素的氮氧化物薄膜采用原子层沉积法形成。

4.根据权利要求2所述的沉积方法，其特征在于，在沉积所述铪的氮氧化物薄膜的过程中，每个沉积循环内，依次供应铪前驱体、氨气、氧化剂，或者依次供应铪前驱体、氧化剂、氨气。

5.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，在沉积所述铪的氮氧化物薄膜的过程中，每个沉积循环内，依次供应铪前驱体、吹扫气体、氨气、吹扫气体、氧化剂、吹扫气体；或者依次供应铪前驱体、吹扫气体、氧化剂、吹扫气体、氨气、吹扫气体。

6.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，在沉积所述其他元素的氮氧化物薄膜的过程中，每个沉积循环内，依次供应其他元素的前驱体、氨气、氧化剂，或者依次供应其他元素的前驱体、氧化剂、氨气。

7.根据权利要求6所述的沉积方法，其特征在于，在沉积所述铪的氮氧化物薄膜的过程中，每个沉积循环内，依次供应其他元素的前驱体、吹扫气体、氨气、吹扫气体、氧化剂、吹扫气体，或者依次供应其他元素的前驱体、吹扫气体、氧化剂、吹扫气体、氨气、吹扫气体。

8.根据权利要求1-7任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述退火温度为400～1000℃。

9.根据权利要求5或7所述的沉积方法，其特征在于，吹扫气体为惰性气体。

10.一种HfO₂基铁电薄膜，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的沉积方法形成。