[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括：基底和设置在基底上的源漏电极层，以及，设置在所述源漏电极层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层设置有暴露所述源漏电极层的第一过孔，所述源漏电极层远离所述基底一侧的表面至少部分为粗糙面，所述粗糙面设置为将从远离所述基底一侧入射的光线以散射光的形式出射，在平行于所述基底的平面上，所述第一过孔靠近所述基底一侧的开口的正投影位于所述粗糙面的正投影内。本实施例提供的方案，通过设置粗糙面，减少反射光，改善了斑块现象，提高显示质量。

技术领域

本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

众所周知，低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon-Thin FilmTransistor，LTPS-TFT)液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点。随着电子设备和显示知识的普及，客户对显示质量、产品品质的要求越来越严苛。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，改善屏幕色均衡度。

本申请实施例提供了一种显示基板，包括：基底和设置在基底上的源漏电极层，以及，设置在所述源漏电极层远离所述基底一侧的平坦层，所述平坦层设置有暴露所述源漏电极层的第一过孔，所述源漏电极层远离所述基底一侧的表面至少部分为粗糙面，所述粗糙面设置为将从远离所述基底一侧入射的光线以散射光的形式出射，在平行于所述基底的平面上，所述第一过孔靠近所述基底一侧的开口的正投影位于所述粗糙面的正投影内。

在一示例性实施例中，所述源漏电极层远离所述基底一侧的表面均为粗糙面。

在一示例性实施例中，所述显示基板还包括设置在所述平坦层远离所述基底一侧的钝化层，所述钝化层设置有暴露所述源漏电极层的第二过孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一过孔的正投影和所述第二过孔的正投影存在交叠。

在一示例性实施例中，所述源漏电极层包括钛铝钛多层结构。

本公开实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。

本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：

在基底上形成源漏电极层；所述源漏电极层远离所述基底一侧的表面至少部分为粗糙面，所述粗糙面设置为将从远离所述基底一侧入射的光线以散射光的形式出射；

在所述源漏电极层远离所述基底一侧形成平坦层，所述平坦层设置有暴露所述源漏电极层的第一过孔，在平行于所述基底的平面上，所述第一过孔靠近所述基底一侧的开口的正投影位于所述粗糙面的正投影内。

在一示例性实施例中，在基底上形成源漏电极层包括：

在基底上沉积源漏金属层薄膜；

对所述源漏金属层薄膜进行粗糙化处理，形成粗糙面，对所述源漏金属层薄膜构图形成源漏金属层图案。

在一示例性实施例中，在基底上形成源漏电极层包括：

在基底上沉积源漏金属层薄膜；

对所述源漏金属层薄膜进行构图，形成源漏金属层图案；

对所述源漏金属层图案进行粗糙化处理，形成粗糙面。

在一示例性实施例中，所述对所述源漏金属层薄膜或源漏金属层图案进行粗糙化处理包括：使用氯气、三氯化硼至少之一对所述源漏金属层薄膜或源漏金属层图案进行刻蚀。