[发明专利]边缘环及等离子体处理装置

说明书

提供一种边缘环及等离子体处理装置，该边缘环的耐等离子体性得到提高。该边缘环由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。

技术领域

本公开涉及一种边缘环及等离子体处理装置。

背景技术

在等离子体处理装置中，在放置在载置台上的基板的周缘处布置边缘环。边缘环用于通过将在晶圆上方产生的等离子体的分布区域扩大至晶圆外侧从而提高等离子体的均匀性。

近年来，为了延长边缘环的寿命，提出了采用刚性强于硅(Si)的碳化硅(SiC)作为边缘环的材料(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2018-107433号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种边缘环及等离子体处理装置，其能够提高耐等离子体性。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个方案，提供一种边缘环，其由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。

发明的效果

根据一个方案，能够提高耐等离子体性。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置的一个示例的剖面示意图。

图2是示出根据一个实施方式的在基板上形成的膜结构的一个示例的图。

图3是用于对关于根据一个实施方式的边缘环的消耗的实验进行说明的图。

图4是示出关于根据一个实施方式的边缘环的消耗的实验结果的一个示例的图。

图5是示出关于根据一个实施方式的边缘环的试验片的消耗的实验结果的一个示例的图。

图6是示出使用根据一个实施方式的边缘环的基板的蚀刻处理的实验结果的一个示例的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

参照图1对根据一个实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置1的一个示例的剖面示意图。等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10在其内部提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形的形状。内部空间10s设置在腔室主体12的内侧。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。具有耐腐蚀性的膜可以由矾土(氧化铝)、氧化钇等陶瓷形成，并且可以是进行了阳极氧化处理的氧化膜。

在腔室主体12的侧壁上形成有通路12p。当基板W在内部空间10s与腔室10的外部之间被搬送时，通过通路12p。通路12p能够利用闸阀12g进行打开或关闭。闸阀12g沿着腔室主体12的侧壁设置。

在腔室主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形的形状。支承部13在内部空间10s中从腔室主体12的底部向上方延伸。在支承部13上，设置有包围基板W的周围的边缘环25(也称为聚焦环)。边缘环25具有大致环形的形状，并且由碳化硼(B₄C)和碳化硅(SiC)的材料构成。

等离子体处理装置1还具有载置台14。载置台14被支承部13支承。载置台14设置在内部空间10s中。载置台14被构成为在腔室10内，即内部空间10s中对基板W进行支承。