[发明专利]边缘环及等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202110259906.5 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113471047A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 小笠原正宏;花冈秀敏;池上真史;佐藤直行;塚原利也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 等离子体 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种边缘环，其由碳化硼和碳化硅的材料构成，
所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。
2.根据权利要求1所述的边缘环，其中，
所述边缘环被用于等离子体处理装置。
3.根据权利要求2所述的边缘环，其中，
在将所述边缘环布置于所述等离子体处理装置内部的基板的周缘的状态下，在对形成在所述基板上的氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜进行蚀刻的处理期间将所述边缘环暴露于等离子体。
4.一种等离子体处理装置，包括：
腔室；
载置台，用于放置基板；以及
边缘环，布置于被放置在所述载置台上的基板的周缘，
其中，所述边缘环由包含碳化硼和碳化硅的材料构成，
所述材料中含有的碳化硼的含量比为30％～50％。
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