[发明专利]一种微LED显示面板及其制备方法

说明书

本申请实施例公开一种微LED显示面板及其制备方法。在一具体实施方式中，该方法包括形成驱动电路层；形成第一阳极、第二阳极和第三阳极；在第一阳极上依次沉积形成第一P型GaN层、第一InGaN层、第一N型GaN层和第一透明电极；在第二阳极上依次沉积形成第二P型GaN层、第二InGaN层或第一InAlGaP层、第二N型GaN层和第二透明电极；在第三阳极上依次沉积形成第三P型GaN层、第二InAlGaP层、第三N型GaN层和第三透明电极；形成像素界定层；形成阴极。该实施方式可避免现有技术中的制备微LED所需的高温蒸镀手段，还可提高微LED显示面板的制作良品率，提高微LED显示面板的品质。

技术领域

本申请涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种微LED显示面板及其制备方法。

背景技术

Micro-LED Display(微型发光二极管显示器)由于其具有超高像素、超高解析度、高亮度、低功耗、材料性能稳定、寿命长和无影像烙印等优势，其性能远高于现有的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)，因此广泛用于在微投影、透明显示器、抬头显示器等领域。

通常Micro-LED或QNED等制成的显示器都是将在蓝宝石基板上制成的纳米级彩色LED(发光二极管)100切割成微米级尺寸，随后在玻璃基板或者PI(Polyimide，聚酰亚胺)等基板110形成的有源驱动(Active Matrix)像素上，通过转印(transfer)的方式制作而成，如图1所示。现有技术的制备方法为形成发光二极管(diode)，需要进行高温蒸镀，为此需要使用蓝宝石基板，从而增加制作成本；再者，通常大面积、高分辨率的显示器中各像素以1:1(Micro-LED)或1对多(5-50个，QNED)对应LED，因此，需要在数千万个像素上转印数千万个LED，这种将巨量的LED转印到像素的工艺会以极端的比例发生生产良率下降的问题，进而进一步提高制造成本。

发明内容

本申请的目的在于提供一种微LED显示面板及其制备方法，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本申请采用下述技术方案：

本申请第一方面提供一种微LED显示面板的制备方法，包括

在衬底上形成驱动电路层，包括薄膜晶体管；

在所述驱动电路层上形成由对应的薄膜晶体管电连接的第一阳极、第二阳极和第三阳极；

在所述第一阳极上依次沉积形成第一P型GaN层、第一InGaN层、第一N型GaN层和第一透明电极，从而形成蓝色子像素区域；

在所述第二阳极上依次沉积形成第二P型GaN层、第二InGaN层或第一InAlGaP层、第二N型GaN层和第二透明电极，从而形成绿色子像素区域；

在所述第三阳极上依次沉积形成第三P型GaN层、第二InAlGaP层、第三N型GaN层和第三透明电极，从而形成红色子像素区域；

形成围绕所述子像素区域的像素界定层；

形成阴极，覆盖所述子像素区域。

本申请第一方面所提供的微LED显示面板通过在衬底上直接蒸镀形成无机发光二极管(即包括P型GaN层、InGaN层或InAlGaP层、N型GaN层)，以形成全彩发光的微LED显示面板，从而可避免现有技术中需要将巨量的LED芯片转印至像素上的工艺，防止LED芯片转印过程中良率下降的问题，有效提高微LED显示面板的制作成品率，提升微LED显示面板的品质，节省微LED显示面板的制作成本。

在一种可能的实现方式中，所述第一、第二和第三P型GaN层由富镓型GaN薄膜形成；所述第一、第二和第三N型GaN层由富氮型GaN薄膜形成。