[发明专利]一种微LED显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种微LED显示面板的制备方法，其特征在于，包括

在衬底上形成驱动电路层，包括薄膜晶体管；

在所述驱动电路层上形成由对应的薄膜晶体管电连接的第一阳极、第二阳极和第三阳极；

在所述第一阳极上依次沉积形成第一P型GaN层、第一InGaN层、第一N型GaN层和第一透明电极，从而形成蓝色子像素区域；

在所述第二阳极上依次沉积形成第二P型GaN层、第二InGaN层或第一InAlGaP层、第二N型GaN层和第二透明电极，从而形成绿色子像素区域；

在所述第三阳极上依次沉积形成第三P型GaN层、第二InAlGaP层、第三N型GaN层和第三透明电极，从而形成红色子像素区域；

形成围绕所述子像素区域的像素界定层；

形成阴极，覆盖所述子像素区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一、第二和第三P型GaN层由富镓型GaN薄膜形成；

所述第一、第二和第三N型GaN层由富氮型GaN薄膜形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一InGaN层为富镓型InGaN薄膜形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二InGaN层为富氮型InGaN薄膜形成；

所述第一InAlGaP层为富磷型InAlGaP薄膜形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二InAlGaP层为富镓型InAlGaP薄膜形成。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

形成所述第一、第二或第三P型GaN层，包括：

S100、采用等离子增强化学气相沉积工艺在氮气环境中沉积烷基镓至第一预设厚度；

S101、采用等离子体处理，去除CH₄、NH₃，从而形成GaN；以及

S102、重复S100～S101，直到形成的GaN层达到总预设厚度；

或者

S105、采用原子层沉积工艺交替沉积烷基镓和氮气，直到形成的GaN层达到总预设厚度，

形成所述第一、第二或第三N型GaN层，包括：

S110、采用等离子增强化学气相沉积工艺在氮气环境中沉积烷基镓至第一预设厚度；

S111、采用等离子体处理，去除CH₄、NH₃，从而形成GaN；以及

S112、重复S110～S111，直到形成的GaN层达到总预设厚度；

或者

S115、采用原子层沉积工艺交替沉积烷基镓和氮气，直到形成的GaN层达到总预设厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

形成所述富镓型GaN薄膜和形成所述富氮型GaN薄膜是通过对烷基镓和氮气设置不同比率实现。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

形成所述第一InGaN层，包括：

S120、采用等离子增强化学气相沉积工艺在氮气环境中沉积烷基镓和烷基铟至第一预设厚度；

S121、采用等离子处理，去除CH₄、NH₃，从而形成InGaN；以及

S122、重复S120～S121，直到形成的InGaN层达到总预设厚度；

或者

S125、采用原子层沉积工艺交替沉积烷基镓、氮气、烷基铟和氮气，直到形成的InGaN层达到总预设厚度；

或者

S125’、采用原子层沉积工艺交替沉积第一材料和第二材料，直到形成的InGaN层达到总预设厚度，其中

第一材料为烷基镓和氮气，第二材料为烷基铟和氮气，或者

第一材料为烷基镓和烷基铟，第二材料为氮气。