[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的处理气体的第一等离子体，对被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的处理气体的第二等离子体，对被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行步骤b和步骤c。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

随着半导体的微小化，对于干式蚀刻处理要求兼顾蚀刻选择比和窄空间的蚀刻不良的抑制(去除性)。对此，提出了通过反复进行蚀刻剂的沉积步骤和离子照射步骤来促进蚀刻的被称为ALE(Atomic Layer Etching：原子层蚀刻)的方法。在ALE中，通过在沉积步骤和离子照射步骤中切换所使用的处理气体，将各个步骤分离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-173240号公报。

专利文献2：日本特开2016-136616号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式的基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的处理气体的第一等离子体，对被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的处理气体的第二等离子体，对被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行步骤b和步骤c。

发明效果

依照本发明，能够进行比气体切换方式更高速且高选择比的蚀刻。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式中的等离子体处理系统的一例的图。

图2是表示基于气体切换进行的沉积和蚀刻步骤的分离的一例的图。

图3是表示基于RF信号的脉冲进行的沉积和蚀刻步骤的分离的一例的图。

图4是表示本实施方式的等离子体处理装置所蚀刻的基片的构造的一例的图。

图5是示意性地表示被蚀刻了的基片的状态的一例的图。

图6是表示本实施方式中的蚀刻处理的一例的流程图。

图7是表示本实施方式中的RF信号和处理空间内的状态的一例的图。

图8是表示本实施方式中的RF信号与沉积或者蚀刻量的关系的一例的图。

图9是表示本实施方式中的RF信号的一个循环的一例的图。

图10是表示本实施方式和比较例中的实验结果的一例的图。

图11是表示基于RF信号的各个频率的发光数据的分析结果的一例的图。

图12是表示基于RF信号的各个频率的发光数据的分析结果的一例的图。

图13是表示使碳氟化合物的流量相对于Ar的流量变化了的情况下的实验结果的一例的图。