[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理装置中的基片处理方法，其特征在于，具有：

步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在所述载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；

步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的所述处理气体的第一等离子体，对所述被处理体进行等离子体处理；

步骤c，用在与所述第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的所述处理气体的第二等离子体，对所述被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和

步骤d，反复进行所述步骤b和所述步骤c。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述步骤b中导入的所述处理气体的条件和所述步骤c中导入的所述处理气体的条件为相同的条件。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述步骤b中生成的关于所述碳氟化合物的数值，比所述步骤c中生成的关于所述碳氟化合物的数值高。

4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

关于所述碳氟化合物的数值是所述碳氟化合物的活性种的量。

5.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

关于所述碳氟化合物的数值，是所述碳氟化合物的活性种相对于所述稀有气体的活性种的量。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

还具有不产生等离子体的步骤e，

所述步骤d按照所述步骤b、所述步骤e、所述步骤c的顺序反复进行所述步骤b、所述步骤e和所述步骤c。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于：

所述步骤e中导入的所述处理气体的条件，是与所述步骤b和所述步骤c中导入的所述处理气体的条件相同的条件。

8.如权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于：

所述步骤e的时间为250微秒以上且小于1250微秒。

9.如权利要求1～8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一等离子体是通过将具有第一频率的第一RF电功率供给到所述处理容器内而生成的，

所述第一频率为40MHz以上。

10.如权利要求1～9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第二等离子体是通过将具有第二频率的第二RF电功率供给到所述处理容器内而生成的，

所述第二频率为13.56MHz以下。

11.如权利要求10所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第二RF电功率被供给到所述载置台。

12.如权利要求1～11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述第一等离子体生成条件和所述第二等离子体生成条件，除关于RF电功率的条件之外为相同的条件。

13.如权利要求1～12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述处理气体中的所述碳氟化合物的流量相对于所述稀有气体的流量为0.5％以下。

14.如权利要求1～13中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述被处理体还具有由氮化硅构成的第二区域，在所述第一区域和所述第二区域这两者中选择性地蚀刻所述第一区域。